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IPD50R500CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD50R500CE DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD50R500CE

IPD50R500CE概述


    产品简介


    IPD50R500CE/I N-Channel MOSFET Transistor
    IPD50R500CE/I 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电力电子应用。这款MOSFET具有低静态漏源导通电阻(RDS(on) ≤ 500mΩ)和快速开关能力,非常适合需要高效率、低功耗的应用场合。广泛应用于电源管理、电机驱动、通信设备、LED照明系统等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值 (Ta=25℃)
    - 漏源电压 (VDSS): 500V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极电流 (ID) 连续: 7.6A
    - 漏极电流 (IDM) 单脉冲: 24A
    - 总耗散功率 (PD) @ TC=25℃: 57W
    - 最大工作结温 (Tj): 150℃
    - 存储温度 (Tstg): -55~150℃
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 (Rth(j-c)): 2.19℃/W
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)): 62℃/W
    - 电气特性
    - 击穿电压 (BVDSS): 500V
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2.5~3.5V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 500mΩ @ VGS=13V; ID=2.3A
    - 栅漏电流 (IGSS): 0.1μA @ VGS=20V
    - 漏源漏电流 (IDSS): 1μA @ VDS=500V; VGS=0V
    - 二极管正向电压 (VSD): 0.85V @ IF=2.9A, VGS=0V

    产品特点和优势


    IPD50R500CE/I 的主要特点和优势如下:
    - 低静态漏源导通电阻: RDS(on) ≤ 500mΩ,适合需要高效能、低损耗的应用。
    - 快速开关: 支持高速开关操作,减少开关损耗。
    - 增强模式: 具有优良的栅极阈值电压和低栅漏电流。
    - 高可靠性: 通过100%雪崩测试,确保长期稳定运行。
    - 最小化批次差异: 严格控制制造工艺,保证每一批次之间的性能一致性。
    这些特点使得 IPD50R500CE/I 在电力电子应用中表现出色,能够提供高效的能量转换和可靠的性能表现,使其在市场上具备很强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    IPD50R500CE/I 通常用于以下应用场景:
    - 电源管理: 在DC-DC转换器和开关电源中,发挥其高效、低损耗的优势。
    - 电机驱动: 在各种电机控制系统中,提供高效的驱动性能。
    - 通信设备: 在电信基础设施中,作为关键的开关元件。
    - LED照明系统: 在LED驱动电路中,提升系统的整体效率。
    使用建议
    为了充分发挥 IPD50R500CE/I 的性能,以下是一些使用建议:
    - 散热管理: 由于其较高的结到环境热阻(Rth(j-a)=62℃/W),建议采用有效的散热措施,如散热片或风扇,以确保器件在高温环境下稳定工作。
    - 负载匹配: 确保负载与MOSFET的工作电流范围相匹配,避免过载。
    - 栅极驱动: 使用适当的栅极驱动电路,避免过高或过低的栅源电压,以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    IPD50R500CE/I 与主流的电子元件及设备具有良好的兼容性。厂商ISC 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决任何使用过程中遇到的问题。同时,详细的技术文档和丰富的参考设计资源,为工程师提供了极大的便利。

    常见问题与解决方案


    Q1: IPD50R500CE/I 的最大存储温度是多少?
    - A1: 最大存储温度为-55~150℃。
    Q2: IPD50R500CE/I 的最大总耗散功率是多少?
    - A2: 最大总耗散功率为57W(@ TC=25℃)。
    Q3: 如何改善IPD50R500CE/I 的散热效果?
    - A3: 可以通过添加散热片、使用导热硅脂和强制风冷等方式来提高散热效果,从而避免过热损坏。

    总结和推荐


    综上所述,IPD50R500CE/I 是一款性能卓越的N沟道增强型MOSFET,具备出色的导通电阻和快速开关性能。其广泛应用在电源管理和电机驱动等领域,尤其适用于要求高效、低损耗的场合。此外,优秀的质量和厂商提供的全方位支持,使得这款产品成为市场的优选之一。因此,强烈推荐给需要高效、可靠电子元器件的设计工程师们。

IPD50R500CE参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

IPD50R500CE厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD50R500CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD50R500CE IPD50R500CE数据手册

IPD50R500CE封装设计

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