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IRFB4019

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRFB4019 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRFB4019

IRFB4019概述

    IRFB4019 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRFB4019 是一款N通道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有较低的静态导通电阻(RDS(on)),能够在175℃的高工作结温下稳定运行。这款MOSFET 主要应用于各种需要高效开关和高性能驱动的应用中,如电机驱动、电源转换和照明控制等领域。

    技术参数


    以下是IRFB4019的技术规格及其详细参数:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | - | 150 | - | V |
    | VGS(th) | 门阈电压 | 3 | 4.9 | - | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | - | 95 | - | mΩ |
    | IGSS | 门源漏电流 | - | ±0.1 | - | μA |
    | IDSS | 源漏漏电流 | - | - | 20 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | - | 1.3 | - | V |
    绝对最大额定值
    | 参数 | 条件 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 150 | V |
    | VGS | 门源电压 | ±20 | V |
    | ID | 漏极电流(连续)| 17 | A |
    | IDM | 漏极电流(单脉冲)| 51 | A |
    | PD | 总耗散 | 80 | W |
    | Tj | 最大结温 | 175 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55~175| ℃ |
    热特性
    | 参数 | 条件 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rth(ch-c) | 结至外壳热阻 | 1.88 | ℃/W |
    | Rth(ch-a) | 结至环境热阻 | 62 | ℃/W |

    产品特点和优势


    IRFB4019具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:漏源导通电阻为95mΩ,可以实现高效的电能转换和低功耗运行。
    - 高耐压能力:150V的漏源击穿电压确保了其在高电压应用中的可靠性。
    - 快速开关速度:适用于高频应用,可以有效减少开关损耗。
    - 高温稳定性:可在高达175℃的工作结温下运行,增强了其在恶劣环境下的稳定性。
    - 出色的重复雪崩能力:经过100%的雪崩测试,提供了更好的安全性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:IRFB4019广泛应用于电动工具和工业设备的电机驱动系统中,确保高效的能量传输和良好的驱动性能。
    - 电源转换:作为开关电源中的关键元件,可提高电源转换效率,减少发热,延长设备寿命。
    使用建议
    - 在安装时应注意散热设计,以避免因过热而导致性能下降或损坏。
    - 确保电路板的设计符合规范,避免干扰和噪声问题。
    - 使用时要注意门级驱动信号的稳定性和强度,确保MOSFET能快速且准确地开关。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFB4019可以与其他标准接口和驱动电路兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持:ISC提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线帮助、应用指南和故障排查资源。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,例如加装散热片或改进散热设计。 |
    | 驱动信号不稳定 | 使用高质量的门级驱动电路,并确保信号线的布局合理。 |
    | 电路出现异常波动 | 检查电路板设计,确认所有连接正确无误。 |

    总结和推荐


    IRFB4019凭借其低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,使其在多种应用场景中表现出色。无论是电机驱动还是电源转换,都能实现高效可靠的运行。综合来看,强烈推荐将IRFB4019用于高要求的应用场景中,它能够提供卓越的性能和长期的稳定性。

IRFB4019参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

IRFB4019厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRFB4019数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRFB4019 IRFB4019数据手册

IRFB4019封装设计

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