处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF3315S

IRF3315S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IRF3315S D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IRF3315S

IRF3315S概述

    电子元器件产品技术手册:Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3315S

    产品简介


    Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3315S 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用To-263 (D2PAK) 封装。它广泛应用于开关电源、电动工具、汽车电子和工业控制等领域,以其低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特性,在高效率电力转换系统中表现出色。

    技术参数


    以下是Isc IRF3315S的技术参数:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V; ID=0.25mA | 150 | - | 150 | V |
    | VGS(th) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS; ID=0.25mA | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS= 10V; ID=12A | - | 82 | - | mΩ |
    | IGSS | 栅极源极漏电流 | VGS= ±30V;VDS=0V | - | ±0.1 | - | μA |
    | IDSS | 漏源漏电流 | VDS=150V; VGS= 0V;Tj=25℃ | 25 | - | 250 | μA |
    | VSDF | 二极管正向电压 | ISD=21A, VGS = 0 V | 1.3 | - | - | V |

    产品特点和优势


    1. 低输入电容和栅极电荷:这使得IRF3315S在高频开关应用中具有较低的损耗,提高系统的整体效率。
    2. 低栅极输入电阻:有助于更快地驱动门极,减少开关时间,从而降低功耗并提高电路的响应速度。
    3. 100%雪崩测试:确保了产品在极端条件下的可靠性和稳健性。
    4. 最小批次间差异:减少了制造过程中批次间的性能变化,保证了稳定的操作性能。

    应用案例和使用建议


    IRF3315S适用于各种电力转换系统和电机控制应用。例如,在电动汽车充电站的直流-直流转换器中,该器件可以显著提高效率并减小热损失。为了优化使用效果,建议在安装时确保良好的散热措施,以防止过热现象发生。此外,适当的选择合适的栅极驱动器也可以进一步提高效率和可靠性。

    兼容性和支持


    IRF3315S 具有广泛的兼容性,可与其他标准电源管理芯片一起使用。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和热性能数据,以帮助用户进行选型和设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率低导致效率低下 | 使用更低阻抗的栅极驱动器来加快开关速度。 |
    | 过热保护失效 | 确保正确的散热措施,如使用合适的散热片或风扇。 |
    | 额定功率下温度过高 | 检查电路设计中的散热问题,确保足够的散热面积和良好的气流。 |

    总结和推荐


    总体而言,Isc IRF3315S 在性能和稳定性方面表现出色,适合用于需要高效、可靠电力转换的应用场合。虽然其适用范围较广,但需要注意在特殊环境中可能需要额外的防护措施。基于其卓越的特性,强烈推荐在上述应用领域中使用此产品。

IRF3315S参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -

IRF3315S厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IRF3315S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IRF3315S IRF3315S数据手册

IRF3315S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 9.3563
800+ ¥ 5.988
库存: 16000
起订量: 5 增量: 800
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 46.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504