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FDB035AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: FDB035AN06A0 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDB035AN06A0

FDB035AN06A0概述


    产品简介


    FDB035AN06A0 N-Channel MOSFET Transistor 是由 INCHANGE Semiconductor 生产的一款高性能功率场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。它具有 TO-263 (D2PAK) 封装形式,适用于多种电力转换和驱动控制场合。这款 MOSFET 具备高速开关能力、低米勒电荷和高可靠性等特点,在电源管理、照明、服务器、电信和不间断电源等领域有着广泛的应用。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDSS(漏源电压): 60 V
    - VGSS(栅源电压): ±20 V
    - ID(连续漏电流): 25℃时为 80 A,100℃时为 22 A
    - IDM(单脉冲峰值漏电流): 400 A
    - PD(总耗散功率): 310 W
    - Tj(工作结温): -55℃ 至 175℃
    - Tstg(存储温度): -55℃ 至 175℃
    - 热特性
    - Rth(ch-c)(结到外壳热阻): 0.48 ℃/W
    - Rth(ch-a)(结到环境热阻): 62 ℃/W
    - 电气特性
    - BVDSS(漏源击穿电压): 60 V
    - VGS(th)(栅阈值电压): 4 V
    - RDS(on)(导通电阻): 6.5-7.1 mΩ(10 V 栅电压时)
    - IGSS(栅漏电流): ±1 μA
    - IDSS(漏源漏电流): 250 μA(150℃时)
    - VSDF(二极管正向电压): 1.25 V

    产品特点和优势


    - 高速开关: 能够快速开启和关闭,减少能量损失,提高效率。
    - 低米勒电荷: 减少栅极电容的影响,简化驱动电路设计。
    - 高可靠性: 经过 100% 雪崩测试,确保在恶劣环境下也能稳定工作。
    - 低导通电阻: 保证较低的损耗,提高能效。
    - 最小批次变化: 保证器件性能一致性,提升可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - PFC 阶段: 用于功率因数校正电路中,提升系统的功率因数。
    - 硬开关 PWM 阶段: 适用于需要快速开关的硬开关PWM电路。
    - 谐振开关: 在谐振变换器中实现高效的能量转换。
    - 电脑银箱、适配器、液晶电视: 广泛应用于各种消费电子产品中。
    - 照明、服务器、电信、UPS: 适用于工业级和商业级的电力管理需求。
    使用建议
    - 确保散热措施良好,避免过热损坏。
    - 配合合适的驱动电路,以充分发挥其高速开关的优势。
    - 选择合适的封装形式,以适应不同的应用环境。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与多数常见的电源管理和驱动控制电路相兼容。
    - 支持和服务: INCHANGE Semiconductor 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计,确保其能够提供稳定的栅极信号。

    - 问题: 温度过高导致过热。
    - 解决方案: 优化散热设计,使用合适的散热片或其他冷却装置。

    总结和推荐


    FDB035AN06A0 N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,适用于多种电力转换和驱动控制场合。它的高速开关能力和低导通电阻使其在电源管理领域表现优异。推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用。

FDB035AN06A0参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -

FDB035AN06A0厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDB035AN06A0数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDB035AN06A0 FDB035AN06A0数据手册

FDB035AN06A0封装设计

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