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IPD053N08N3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD053N08N3 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD053N08N3

IPD053N08N3概述

    电子元器件产品技术手册:IPD053N08N3 N-Channel MOSFET

    产品简介


    IPD053N08N3 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关电路。该产品具有较低的导通电阻(RDS(on) ≤ 5.3mΩ),高频率开关性能以及出色的稳定性,适用于各种电力电子设备,如电机驱动、电源转换器和太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 静态导通电阻 (RDS(on)): ≤ 5.3mΩ
    - 耐压 (VDSS): 80V
    - 连续漏极电流 (ID): 90A
    - 单脉冲峰值电流 (IDM): 360A
    - 最大耗散功率 (PD): 150W (TC=25℃)
    - 最大结温 (Tj): 175℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃ 至 175℃
    - 热阻参数 (Rth(j-c)): 1℃/W
    - 热阻参数 (Rth(j-a)): 75℃/W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): IPD053N08N3 的低导通电阻显著降低了在大电流条件下的损耗,提高了整体系统的能效。
    - 高可靠性: 所有产品均经过100%雪崩测试,确保在极端工作条件下也能稳定运行。
    - 一致性强: 严格的质量控制确保了产品批次间的一致性,从而提高了产品的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 该产品广泛应用于高频开关电源中,用于驱动电机或逆变器。
    - 使用建议: 在使用时,建议尽量减少电路中的寄生电感,以避免在高电流脉冲下导致过压损坏。同时,确保良好的散热设计,以提高产品的使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IPD053N08N3 具有标准引脚布局,易于与其他同类产品互换,兼容多种电路设计。
    - 支持: ISC 提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下产品性能下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如加装散热片或使用风扇辅助散热。
    - 问题: 电路中出现异常的电流波动。
    - 解决方案: 检查电路中的电感和电容值,调整至合适的数值以减少电流波动。

    总结和推荐


    IPD053N08N3 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合高频开关应用。其低导通电阻、优异的稳定性和一致性使其在市场上具备很强的竞争力。如果您正在寻找一款高效且稳定的 MOSFET 产品,我们强烈推荐 IPD053N08N3。
    请注意,上述技术手册内容仅作为参考。如需更多详细信息,请访问 [ISC 官方网站](http://www.iscsemi.cn/)。

IPD053N08N3参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
通道数量 -

IPD053N08N3厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD053N08N3数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD053N08N3 IPD053N08N3数据手册

IPD053N08N3封装设计

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