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FDD770N15A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 60W 20V 3V@ 250uA 25nC 2个N沟道 60V 72mΩ 25A 640pF
供应商型号: FDD770N15A DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDD770N15A

FDD770N15A概述


    产品简介


    FDD770N15A 是一款 N 沟道 MOSFET 转换器,广泛应用于各种开关应用。其设计旨在提供卓越的性能和可靠性,适用于众多电子设备中。这款 MOSFET 的关键特性在于其低导通电阻(RDS(on)≤77mΩ),这使得它成为高效电源管理的理想选择。

    技术参数


    FDD770N15A 的技术规格如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 漏极-源极电压 (VDS):150V
    - 连续漏极电流 (ID):18A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM):36A
    - 最大耗散功率 (PD):56.8W(在 TC=25℃)
    - 最大工作结温 (Tj):150℃
    - 存储温度 (Tstg):-55~150℃
    - 热特性:
    - 结至外壳热阻 (Rth(j-c)):2.2℃/W
    - 电气特性(TC=25℃):
    - 漏极-源极击穿电压 (BVDSS):150V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):2~4V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):77mΩ(在 VGS=10V;ID=12A)
    - 栅极-源极漏电流 (IGSS):±100nA
    - 漏极-源极漏电流 (IDSS):1μA(在 VDS=120V;VGS=0V)
    - 漏极-源极漏电流 (IDSS):500μA(在 VDS=120V;VGS=0V;TC=125℃)
    - 二极管正向电压 (VSD):1.25V

    产品特点和优势


    FDD770N15A 在设计上注重可靠性和一致性,100% 经过雪崩测试,确保了其在极端条件下的稳定表现。其低导通电阻使得功耗更小,效率更高,特别适合高功率转换器和电机控制等领域。此外,其极低的栅极-源极漏电流和漏极-源极漏电流也增强了系统的稳定性。

    应用案例和使用建议


    FDD770N15A 主要用于开关电源、逆变器和电机驱动等场合。例如,在一个典型的直流-直流转换器中,它可以作为高效开关元件,帮助实现低损耗的能量转换。建议在使用时注意散热管理,以确保器件在高温环境下仍能正常工作。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准电子元器件具有良好的兼容性,可广泛应用于各类电路设计中。厂商提供了详细的技术支持文档和客户服务,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:合理设计散热系统,使用热沉或其他散热措施来降低结温。

    - 问题:启动时电流过大。
    - 解决方案:在电路中加入软启动电路,限制启动时的峰值电流。

    总结和推荐


    综上所述,FDD770N15A 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高功率应用场合。其低导通电阻、高可靠性和优秀的电气特性使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐将其用于需要高效率和高稳定性的电源管理系统中。

FDD770N15A参数

参数
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 25nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 640pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 25A
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 60W
Rds(On)-漏源导通电阻 72mΩ

FDD770N15A厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDD770N15A数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDD770N15A FDD770N15A数据手册

FDD770N15A封装设计

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