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FDP5800

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDP5800 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDP5800

FDP5800概述

    FDP5800 N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    产品简介


    FDP5800 是一款高性能 N-Channel MOSFET 晶体管,适用于多种工业及消费类电子产品。该晶体管以其卓越的性能和可靠性而著称,广泛应用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关和电磁阀驱动等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 60V (最小值)
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±25V (连续)
    - 持续漏极电流 \( ID \): 80A
    - 单脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 320A
    - 总耗散功率 \( PD \): 242W @ \( TC \) = 25°C
    - 最大结温 \( TJ \): 175°C
    - 存储温度 \( T{STG} \): -55°C ~ 175°C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 \( R{thJ-C} \): 0.62°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 60V (在 \( V{GS} \) = 0; \( ID \) = 0.25mA 条件下)
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V ~ 2.5V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} \) = 10V; \( ID \) = 80A 条件下为 6.0mΩ
    - 在 \( V{GS} \) = 4.5V; \( ID \) = 80A 条件下为 7.2mΩ
    - 在 \( V{GS} \) = 5V; \( ID \) = 80A 条件下为 7.0mΩ
    - 栅体泄漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1μA
    - 正向导通电压 \( V{SD} \):
    - 当 \( IS \) = 80A; \( V{GS} \) = 0 时为 1.25V
    - 当 \( IS \) = 40A; \( V{GS} \) = 0 时为 1.0V

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 100% 雪崩测试,确保产品在极端条件下的可靠性能。
    - 低导通电阻: 低至 6.0mΩ 的导通电阻使得 FDP5800 在高电流条件下依然表现出色。
    - 稳定的制造工艺: 最小的批间差异,保证了产品的稳定性和一致性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电机驱动: 由于其高电流承载能力和低导通电阻,FDP5800 适用于电机驱动应用,特别是在需要高效能转换的应用场合。
    - DC-DC 转换器: 适用于各种 DC-DC 转换器设计,因其出色的热管理和低功耗特性。
    - 电源开关: 适用于需要高可靠性电源开关的应用,如家用电器和工业设备。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高电流工作环境下,以防止过热。
    - 在设计电路时考虑热管理,使用适当的散热片或其他散热方法。
    - 注意避免超过绝对最大额定值,特别是在单脉冲条件下,确保不超过 320A 的峰值电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDP5800 与多种电子设备和系统兼容,可直接替换现有同类产品。
    - 技术支持: ISC 提供全面的技术支持,包括产品选型、设计咨询和售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的栅源电压是否会影响 MOSFET 寿命?
    - 解答: 应该避免栅源电压超过绝对最大额定值 ±25V。长期过高的电压可能导致栅氧化层损坏,影响 MOSFET 寿命。

    - 问题: 如何处理过热问题?
    - 解答: 使用合适的散热片,并保持良好的空气流通。确保 PCB 设计能够有效地散热,必要时可以采用强制风冷或水冷系统。

    总结和推荐


    FDP5800 N-Channel MOSFET 晶体管凭借其出色的电气性能和稳定性,是一款理想的电机驱动、DC-DC 转换器和其他高电流应用的理想选择。其低导通电阻和高可靠性使其在工业和消费类电子产品中具有显著的优势。建议在需要高效率和可靠性的应用中优先选用 FDP5800。

FDP5800参数

参数 值
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220

FDP5800厂商介绍

无锡固电半导体股份有限公司的事业始于1991年,主要研发生产半导体功率器件,产品包括双极型晶体管BJT、MOSFET、可控硅、二极管、SiC二极管、SiC MOSFET、IGBT及各种模块,并提供产品设计与定制服务。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 isc/无锡固电半导体 相关型号,如 STFW3N150、BAW56、MMBT5401、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

FDP5800数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDP5800 FDP5800数据手册

FDP5800封装设计

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