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FDD86113LZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 285pF@50V
供应商型号: FDD86113LZ DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) FDD86113LZ

FDD86113LZ概述

    isc N-Channel MOSFET Transistor FDD86113LZ 技术手册

    1. 产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor FDD86113LZ 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),主要用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关及电磁阀驱动等应用。其设计紧凑且功能强大,适合各种高要求的工业应用。

    2. 技术参数


    FDD86113LZ 的技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDSS):100V
    - 连续漏电流 (ID):5.5A
    - 单脉冲漏电流 (IDM):15A
    - 热阻 (Rth j-c):4.3℃/W
    - 最大工作结温 (TJ):-55~150℃
    - 存储温度 (Tstg):-55~150℃
    电气特性:
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):≥100V
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):1~3V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=10V时:≤104mΩ
    - VGS=4.5V时:≤156mΩ
    - 栅体漏电流 (IGSS):±10uA
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):≤1.0uA
    - 正向导通电压 (VSD):
    - IS=4.2A时:≤1.3V
    - IS=1.7A时:≤1.2V

    3. 产品特点和优势


    FDD86113LZ 具备以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:经过100%雪崩测试,确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 低导通电阻:具有低至104mΩ的导通电阻,可有效降低功耗。
    - 低漏电流:栅体漏电流仅为±10uA,提高了电路的整体效率。
    - 大电流处理能力:能处理高达15A的瞬态电流,适合多种高电流应用。
    - 宽工作温度范围:-55℃到150℃的工作温度范围,适用于极端环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    FDD86113LZ 可广泛应用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关及电磁阀驱动等领域。以下是几个典型应用场景:
    - 电机驱动:通过控制电机的启停和速度,实现高效的电机驱动。
    - 直流-直流转换器:用于提高电源转换效率,减少能量损耗。
    - 电源开关:能够快速响应并处理高功率负载。
    使用建议:
    - 在选择FDD86113LZ 时,要根据具体的应用场景确定合适的电压和电流等级。
    - 在安装过程中,注意散热设计,避免过热导致的性能下降。
    - 使用适当的保护电路,防止过压和过流对器件造成损害。

    5. 兼容性和支持


    FDD86113LZ 与其他常见的电子元器件兼容性良好,可以方便地集成到现有系统中。此外,isc 半导体提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:如何确定合适的电压等级?
    - 解决方案:根据具体应用中的最大电压需求选择合适的电压等级,通常需要考虑峰值电压和纹波电压。

    - 问题:如何处理过热问题?
    - 解决方案:增加散热片或采用外部风扇进行冷却,同时检查散热路径是否畅通无阻。
    - 问题:如何优化电路效率?
    - 解决方案:优化电路布局,减少线路电感和寄生电容的影响,以提高整体电路的效率。

    7. 总结和推荐


    综上所述,isc N-Channel MOSFET Transistor FDD86113LZ 具有高可靠性、低导通电阻和大电流处理能力等特点,非常适合电机驱动、直流-直流转换器等应用。我们强烈推荐此款产品给那些需要高效、可靠电子元件的用户。

FDD86113LZ参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 285pF@50V
Vds-漏源极击穿电压 -
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDD86113LZ厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDD86113LZ数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 FDD86113LZ FDD86113LZ数据手册

FDD86113LZ封装设计

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