处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD50R650CE

IPD50R650CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPD50R650CE DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) IPD50R650CE

IPD50R650CE概述

    电子元器件技术手册:IPD50R650CE N-Channel MOSFET Transistor

    产品简介


    IPD50R650CE是一款N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,适用于多种电源管理应用,如开关电源、电机驱动、汽车电子系统及通信设备。该产品以其低导通电阻和高可靠性著称,能够确保快速切换并提供稳定的电流控制能力。

    技术参数


    以下是IPD50R650CE的主要技术参数,涵盖了电气特性和工作条件:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 500 | V |
    | VGS(th) | 门限电压 2.5 | 3.5 V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=13V, ID=1.8A 650 mΩ |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, ID=1mA 500 | V |
    | IGSS | 门限泄漏电流 | VGS=20V 0.1 | μA |
    | IDSS | 漏源泄漏电流 | VDS=500V, VGS=0V 1 | μA |
    | VSD | 二极管正向电压 | IF=2.3A, VGS=0V 0.84 | V |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 500V
    - 门限电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 9A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 19A
    - 总耗散功率 (@TC=25℃): 69W
    - 最大工作结温 (Tj): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55~150℃
    热特性:
    - 结至外壳热阻 (Rth(j-c)): 1.81℃/W
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)): 62℃/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 650mΩ,在VGS=13V时典型值为650mΩ,确保了高效的电力传输。
    2. 增强模式操作:具有增强模式,保证了稳定可靠的开关性能。
    3. 高抗雪崩能力:通过了100%的雪崩测试,增强了设备的耐用性和稳定性。
    4. 最小批次间差异:100%批次内一致性,确保每个产品都符合高质量标准。
    5. 快速开关特性:适合高频应用,提高整体系统的效率和响应速度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:IPD50R650CE的高可靠性使其成为高性能开关电源的理想选择。
    - 电机驱动:利用其快速切换特性,提高电机的响应速度和效率。
    - 汽车电子系统:适应各种恶劣环境,如温度变化大、震动等情况。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计以降低工作温度,避免因过热导致的性能下降。
    - 使用适当的驱动电路来实现最佳的开关性能。
    - 避免超出绝对最大额定值,以延长产品的使用寿命。

    兼容性和支持


    IPD50R650CE可以与多数标准电路板和其他电子元器件无缝集成,便于安装和调试。ISC提供了详尽的技术文档和支持服务,包括快速响应的技术咨询和产品维修服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下工作时,产品会失效吗?
    A: 确保工作温度不超过最大额定值150℃,且采取有效的散热措施。

    - Q: 如何避免静电损坏?
    A: 使用适当的防静电保护措施,如佩戴防静电手环,处理产品时轻拿轻放。

    总结和推荐


    总体来看,IPD50R650CE是一款高效、可靠且具备广泛应用潜力的N-Channel MOSFET。其低导通电阻、快速开关特性和卓越的抗雪崩能力使其在多个领域具有显著的优势。对于需要高效率和稳定性的应用场景,我们强烈推荐使用这款产品。
    通过以上内容,希望能帮助您更好地了解IPD50R650CE N-Channel MOSFET的功能、优势及应用。如果您有任何进一步的问题或需求,请随时联系我们。

IPD50R650CE参数

参数
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -

IPD50R650CE厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPD50R650CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 IPD50R650CE IPD50R650CE数据手册

IPD50R650CE封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 8.4375
2500+ ¥ 5.4
库存: 50000
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 42.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336