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HYG016N04LS1P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43.6nC@ 10V 1.4mΩ@ 10V,40A 240A TO-220FB-3
供应商型号: HYG016N04LS1P TO-220FB-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG016N04LS1P

HYG016N04LS1P概述

    HYG016N04LS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HYG016N04LS1P/B 是一款由 Huayi Microelectronics 制造的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款产品具有非常低的导通电阻和高电流处理能力,适用于多种电力管理和电池管理系统中的关键应用。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 最大漏源电压 (VDSS):40V
    - 最大栅源电压 (VGSS):±20V
    - 最大连续源电流 (IS):240A (装在大型散热片上)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):1000A
    - 最大连续漏极电流 (ID):240A (Tc=25°C), 170A (Tc=100°C)
    - 最大功耗 (PD):200W (Tc=25°C), 100W (Tc=100°C)
    - 热阻 (RθJC):0.75°C/W
    - 热阻 (RθJA):62.5°C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):758mJ (L=0.3mH)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):40V
    - 栅源漏电流 (IDSS):1μA (VDS=40V, VGS=0V), 50μA (TJ=125°C)
    - 栅阈电压 (VGS(th)):1.0V ~ 3.0V
    - 栅漏电流 (IGSS):±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 导通电阻 (RDS(ON)):1.4mΩ (VGS=10V, IDS=40A), 1.8mΩ (VGS=4.5V, IDS=40A)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss):5894pF
    - 输出电容 (Coss):1276pF
    - 反向传输电容 (Crss):53pF
    - 开启延迟时间 (td(ON)):17ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)):78ns
    - 总栅极电荷 (Qg):92.5nC (VGS=10V), 43.6nC (VGS=4.5V)
    - 栅源电荷 (Qgs):22.7nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):15.4nC

    产品特点和优势


    1. 极低的导通电阻:HYG016N04LS1P/B 的典型导通电阻仅为 1.4mΩ (VGS=10V),这使得它非常适合需要高效率的应用场合。
    2. 高电流处理能力:能够承受高达 240A 的连续电流和 1000A 的脉冲电流,适用于各种高功率应用。
    3. 可靠性:通过了 100% 雪崩测试,确保在极端条件下的可靠性和耐用性。
    4. 环保设计:采用无铅和绿色材料制造,符合 RoHS 和其他环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:适用于 DC/DC 转换器、电池管理系统等电力管理应用。
    - 逆变系统:适用于逆变器系统的功率管理,提供高效的能源转换。

    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议外接散热片以降低热阻,提高产品的稳定性和寿命。
    - 使用低频信号时,可以减少栅极电荷的影响,从而优化开关速度和能效。
    - 结合使用外部电路和滤波器,可以进一步提升其在高频应用中的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品提供两种封装类型:TO-220FB-3L 和 TO-263-2L,适用于不同应用场景的需求。
    - 支持和服务:
    - Huayi Microelectronics 提供全球销售和技术支持服务,可通过官网或指定邮箱获取帮助。
    - 客户可以访问官方网站获取详细的技术文档和最新的产品更新信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境中工作不稳定。
    - 解决方案: 建议外接散热片以降低温度,提高产品的稳定性和寿命。
    - 问题:产品在高速切换时表现不佳。
    - 解决方案: 使用低频信号并减少栅极电荷的影响,以优化开关速度和能效。
    - 问题:产品出现异常发热。
    - 解决方案: 检查电路连接和散热措施,确保产品正常运行。

    总结和推荐


    HYG016N04LS1P/B 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、高电流处理能力和出色的可靠性。适用于各种电力管理和电池管理系统中的关键应用。推荐在需要高效能和高可靠性的电力管理解决方案中使用此产品。如需进一步了解详细信息,可联系 Huayi Microelectronics 获取更多技术支持。

HYG016N04LS1P参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 43.6nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 10V,40A
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 240A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 TO-220FB-3

HYG016N04LS1P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG016N04LS1P数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG016N04LS1P HYG016N04LS1P数据手册

HYG016N04LS1P封装设计

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