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HYG023N04LS1P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG023N04LS1P TO-220FB-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG023N04LS1P

HYG023N04LS1P概述

    # HYG023N04LS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HYG023N04LS1P/B 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有低导通电阻(RDS(ON)),适用于电源管理领域,尤其是在直流-直流转换器中。该产品符合 RoHS 标准,且为无卤素环保设计。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS (漏源电压):40V
    - VGSS (栅源电压):±20V
    - TJ (结温范围):-55°C 至 175°C
    - TSTG (存储温度范围):-55°C 至 175°C
    - IS (连续源电流):170A(在 Tc=25°C 下)
    - IDM (脉冲漏极电流):570A(在 Tc=25°C 下)
    - PD (最大功率耗散):150W(在 Tc=25°C 下)
    - RθJC (热阻):1.0°C/W
    - RθJA (热阻):62.5°C/W
    - EAS (单次脉冲雪崩能量):450mJ
    静态特性
    - BVDSS (漏源击穿电压):40V
    - IDSS (漏源泄漏电流):≤1μA(VDS=40V, VGS=0V)
    - VGS(th) (栅阈值电压):1V 至 3V
    - RDS(ON) (导通电阻):
    - 在 VGS=10V 时:2.1mΩ(典型值)
    - 在 VGS=4.5V 时:2.9mΩ(典型值)
    动态特性
    - RG (栅电阻):≤2Ω
    - Ciss (输入电容):4032pF
    - Coss (输出电容):≤809pF
    - Crss (反向传输电容):≤45pF

    产品特点和优势


    HYG023N04LS1P/B 具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻:在不同电压条件下均表现出较低的导通电阻,有助于提高效率。
    - 高可靠性:通过100%雪崩测试,确保在极端条件下的可靠性。
    - 绿色环保:符合 RoHS 和无卤素标准,适合环保要求较高的应用。
    - 广泛的应用温度范围:能够在 -55°C 至 175°C 的范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HYG023N04LS1P/B 广泛应用于各种电源管理场合,特别是直流-直流转换器中。例如,在汽车电子系统、工业控制系统和消费电子设备中都能见到其身影。
    使用建议
    1. 散热管理:由于该器件的功率耗散较大,建议在使用时配备适当的散热片以确保良好的散热效果。
    2. 驱动电路设计:设计驱动电路时应注意栅极电阻的选择,以确保快速而稳定的开关性能。
    3. 保护措施:在电路设计中加入过压和过流保护措施,防止因误操作导致器件损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    HYG023N04LS1P/B 可以轻松集成到现有电路中,支持两种封装形式:TO-220FB-3L 和 TO-263-2L,方便用户选择合适的安装方式。
    厂商支持
    华谊微电子公司提供全面的技术支持服务。客户可通过电子邮件 sales@hymexa.com 和 Technology@hymexa.com 获取售前售后技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 散热不良导致的温度过高
    - 解决方案:增加散热片面积或采用更有效的散热材料。
    2. 栅极振荡导致的开关损耗
    - 解决方案:优化驱动电路设计,增加栅极电阻或使用缓冲电路。
    3. 长期使用后的可靠性下降
    - 解决方案:定期检查和维护,确保电路中的其他组件也处于良好状态。

    总结和推荐


    HYG023N04LS1P/B 是一款具有高可靠性和高效率的 N 沟道增强型 MOSFET。其低导通电阻、高可靠性及绿色环保特性使其成为多种应用场景的理想选择。鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐该产品用于需要高效能和可靠性的电子设备中。
    如果您正在寻找一个能够在恶劣环境下工作的高性能 MOSFET,HYG023N04LS1P/B 将是您的最佳选择。

HYG023N04LS1P参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220

HYG023N04LS1P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG023N04LS1P数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG023N04LS1P HYG023N04LS1P数据手册

HYG023N04LS1P封装设计

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