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HYG006N04LS1TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 230nC@ 10V 450μΩ@ 10V,80A 600A
供应商型号: HYG006N04LS1TA TOLL-8-BO1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1200
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG006N04LS1TA

HYG006N04LS1TA概述

    # N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HYG006N04LS1TA 是一款适用于多种高功率应用的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET。其主要功能是作为开关器件,广泛应用于电源管理、逆变系统和电池管理系统中。该器件具有高可靠性、坚固耐用的特点,并且符合无卤素要求,完全符合 RoHS 标准。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS(漏-源电压): 40 V
    - VGSS(栅-源电压): ±20 V
    - TJ(结温范围): -55 至 175°C
    - TSTG(存储温度范围): -55 至 175°C
    - IS(源电流-连续): 600 A (Tc=25°C)
    - IDM(脉冲漏极电流): 2400 A (Tc=25°C)
    - ID(连续漏极电流):
    - Tc=25°C: 600 A
    - Tc=100°C: 424 A
    - PD(最大功耗):
    - Tc=25°C: 428 W
    - Tc=100°C: 214 W
    - RθJC(结-壳热阻): 0.35 °C/W
    - RθJA(结-环境热阻): 45 °C/W
    - EAS(单脉冲雪崩能量): 2300 mJ (L=1mH)
    静态特性
    - BVDSS(漏-源击穿电压): VGS=0V, IDS=250μA 时为 40 V
    - IDSS(漏-源泄漏电流):
    - VDS=40V, VGS=0V 时为 1 μA
    - TJ=125°C 时为 50 μA
    - VGS(th)(栅阈电压): VDS=VGS, IDS=250μA 时为 1.3 至 2.4 V
    - IGSS(栅-源泄漏电流): VGS=±20V, VDS=0V 时为 ±100 nA
    - RDS(ON)(导通电阻):
    - VGS=10V, IDS=80A 时为 0.45 至 0.60 mΩ
    - VGS=4.5V, IDS=80A 时为 0.61 至 0.75 mΩ
    动态特性
    - RG(栅电阻): VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz 时为 3.2 Ω
    - Ciss(输入电容): VGS=0V, VDS=25V, f=300kHz 时为 15400 pF
    - Coss(输出电容): 3200 pF
    - Crss(反向传输电容): 115 pF
    - td(ON)(开启动态时间): VDD=20V, RG=2.5Ω, IDS=80A, VGS=10V 时为 28 ns
    - Tr(开启上升时间): 104 ns
    - td(OFF)(关断延迟时间): 125 ns
    - Tf(关断下降时间): 114 ns
    门电荷特性
    - Qg(总门电荷):
    - VGS=10V 时为 230 nC
    - VGS=4.5V 时为 110 nC
    - Qgs(栅-源电荷): 50 nC
    - Qgd(栅-漏电荷): 38 nC

    3. 产品特点和优势


    HYG006N04LS1TA 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:在不同电压下的导通电阻分别为 0.45 mΩ 和 0.61 mΩ,能够有效减少能耗,提高效率。
    - 高可靠性和坚固耐用:通过 100% 雪崩测试,确保在极端条件下依然能稳定运行。
    - 无卤素设计:符合环保要求,特别适合对环境保护有严格要求的应用场合。
    - 兼容性广:适用于多种电源管理和电池管理系统,适用于汽车、工业和消费电子等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:用于高频开关电源中的降压和升压电路,可以有效降低电路损耗。
    - 逆变系统:在光伏逆变器中,提供高效能量转换,确保系统的长期稳定性。
    - 电池管理:在电池充电和放电过程中,控制电流以防止过充或过放。
    使用建议
    - 散热措施:由于其较高的功率耗散,需要有效的散热措施,例如安装散热片或使用大尺寸散热器。
    - 并联使用:为了处理更高的电流,可以通过并联多个 MOSFET 来分散电流负载。
    - 合适的驱动电路:选择合适的栅极电阻和驱动电路,以优化开关时间和功耗。

    5. 兼容性和支持


    HYG006N04LS1TA 具有良好的兼容性,可以与其他标准器件配合使用。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,可以通过技术支持邮箱 Technology@hymexa.com 获得进一步的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题: 当器件长时间处于高功率状态时,可能会出现过热现象。
    - 解决方案: 确保使用足够的散热装置,并监测温度以避免过热。
    2. 噪声干扰: 在高频开关操作中,可能会产生电磁干扰。
    - 解决方案: 添加屏蔽措施和滤波电路,减少噪声干扰。
    3. 过电流保护: 电路可能因过电流而损坏。
    - 解决方案: 添加过电流保护器件如保险丝或电路断路器,确保电路安全。

    7. 总结和推荐


    HYG006N04LS1TA 是一款性能优异的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有出色的导通电阻、高可靠性和无卤素设计。适用于各种高功率应用,尤其适合对环保和高效能有较高要求的领域。强烈推荐给需要高性能和高可靠性的工程师和企业。

HYG006N04LS1TA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 230nC@ 10V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 450μΩ@ 10V,80A
Id-连续漏极电流 600A
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

HYG006N04LS1TA厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG006N04LS1TA数据手册

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