处理中...

首页  >  产品百科  >  HYG210P06LQ1C2

HYG210P06LQ1C2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG210P06LQ1C2 PDFN8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG210P06LQ1C2

HYG210P06LQ1C2概述

    # HYG210P06LQ1C2单通道P沟道增强型MOSFET技术手册

    产品简介


    HYG210P06LQ1C2是一款高性能的单通道P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的开关特性和低导通电阻。该器件广泛应用于电源管理、直流到直流转换、电池保护等领域。HYG210P06LQ1C2符合RoHS标准,并且是无卤素的绿色产品,适用于各类严苛的工作环境。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDSS): -60V
    - 门源电压 (VGSS): ±20V
    - 最大结温 (TJ): -55°C 到 175°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 到 175°C
    - 最大连续漏极电流 (ID): -40A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -140A
    - 最大耗散功率 (PD): 60W (Tc=25°C), 30W (Tc=100°C)
    - 热阻 (RθJC): 2.5°C/W
    - 热阻 (RθJA): 45°C/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): -60V
    - 源漏泄漏电流 (IDSS): -1uA (VDS=-60V, VGS=0V); -50uA (TJ=125°C)
    - 门阈值电压 (VGS(th)): -1.0V 到 -3.0V
    - 门源泄漏电流 (IGSS): ±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 动态特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 20mΩ (VGS=-10V, ID=-20A); 26mΩ (VGS=-4.5V, ID=-20A)
    - 二极管前向电压 (VSD): -0.9V 到 -1.3V
    - 反向恢复时间 (trr): 28ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 25nC
    - 门电荷特性
    - 总门电荷 (Qg): 90nC
    - 门源电荷 (Qgs): 6nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 18nC

    产品特点和优势


    HYG210P06LQ1C2具备以下独特功能和优势:
    - 高可靠性:通过100%雪崩测试,确保在极端条件下依然可靠稳定。
    - 低导通电阻:典型导通电阻为20mΩ(VGS=-10V),26mΩ(VGS=-4.5V),适合大电流应用。
    - 环保设计:无卤素,符合RoHS标准,满足绿色环保要求。
    - 应用广泛:适用于开关应用、电源管理和电池保护等多种场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理系统:用于高压DC/DC转换器中,以实现高效能的电源管理。
    - 电池保护电路:在电池充放电过程中,保护电池免受过载、短路等异常情况的影响。
    - 通用开关应用:适用于需要快速开关切换的电路中,如信号放大、隔离和调制解调器等。
    使用建议
    - 在选择合适的驱动电压时,确保VGS在-10V和-4.5V之间,以获得最佳的导通电阻。
    - 配合适当的散热措施,确保器件在高功率下运行时的热稳定性。
    - 对于高可靠性需求的应用,考虑进行额外的应力测试和验证。

    兼容性和支持


    - 兼容性:HYG210P06LQ1C2采用PPAK56-8L封装,易于安装和集成,适用于大多数主流PCB板设计。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持,包括在线文档、视频教程和技术支持热线,帮助客户解决应用中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关时发热严重 | 确保适当的散热措施,检查是否符合热设计要求。 |
    | 导通电阻过高 | 检查驱动电压是否在推荐范围内,调整至合适的VGS。 |
    | 门源电荷过高 | 确认驱动电路设计正确,避免过高的门源电荷导致误触发。 |

    总结和推荐


    综上所述,HYG210P06LQ1C2是一款具有高可靠性、低导通电阻和广泛应用领域的单通道P沟道增强型MOSFET。它的独特功能和优势使其成为现代电源管理和电池保护应用的理想选择。对于需要高效能、高可靠性的设计项目,强烈推荐使用这款产品。

HYG210P06LQ1C2参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -

HYG210P06LQ1C2厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG210P06LQ1C2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG210P06LQ1C2 HYG210P06LQ1C2数据手册

HYG210P06LQ1C2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.26
15000+ ¥ 1.2075
25000+ ¥ 1.1865
30000+ ¥ 1.134
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 6300
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336