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HYG180N10LS1D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG180N10LS1D DPAK
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG180N10LS1D

HYG180N10LS1D概述

    # HYG180N10LS1D 单个N通道增强模式MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HYG180N10LS1D 是一款由 Huayi Microelectronics 生产的高性能单个N通道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。它适用于高频率点负载同步降压转换器等多种应用场合。其主要功能包括高速开关、低导通电阻和较高的电压耐受能力。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数名称 | 额定值 |
    |
    | VDSS | 漏源电压 | 100 V |
    | VGSS | 栅源电压 | ±20 V |
    | TJ | 最大结温 | 175 °C |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55至175 °C|
    | IS | 连续源电流(体二极管)| 45 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | 150 A |
    | ID | 连续漏电流 | 45 A (Tc=25°C), 31 A (Tc=100°C) |
    | PD | 最大功耗 | 71.4 W (Tc=25°C), 35.7 W (Tc=100°C) |
    | RθJC | 结到外壳热阻 | 2.1 °C/W |
    | RθJA | 结到环境热阻 | 110 °C/W |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 62.1 mJ |
    静态电气特性
    | 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
    |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, IDS=250μA | 100 | - | - |
    | IDSS | 漏源泄漏电流 | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 μA |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS, IDS=250μA | 1.0 | 1.9 | 3.0 |
    | IGSS | 栅源泄漏电流 | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | 100 nA|
    动态电气特性
    | 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 |
    |
    | RG | 栅电阻 | VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz | - | 2.6 | - |
    | Ciss | 输入电容 | VGS=0V, VDS=25V, F=1MHz | - | 1590 | - |
    | Coss | 输出电容 | - | - | 474 | - |
    | Crss | 反向转移电容 | - | - | 24.3 | - |

    3. 产品特点和优势


    HYG180N10LS1D具有以下特点和优势:
    - 高达100V的漏源电压,适用于高压应用;
    - 低导通电阻:10V时为16mΩ,6V时为24mΩ;
    - 100%雪崩测试验证,确保可靠性和坚固性;
    - 支持无卤素材料,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    HYG180N10LS1D 主要应用于高频率点负载同步降压转换器。例如,在服务器电源、通信设备电源及工业控制系统中的开关电源设计。
    使用建议
    1. 确保良好的散热管理以避免过热。
    2. 在设计电路时考虑适当的栅极驱动以降低开关损耗。
    3. 根据实际应用需求选择合适的封装类型(如TO-252-2L)。

    5. 兼容性和支持


    该产品兼容大多数标准的FR-4板,与同类设备或系统有良好的兼容性。Huayi Microelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、样品申请和技术咨询。更多信息可访问公司网站或发送邮件至技术支持邮箱:technology@hymexa.com。

    6. 常见问题与解决方案


    问题一:如何确定最佳的驱动电阻?
    解决方案:根据实际应用中的开关频率和功率要求,通过实验调整栅极电阻(RG),确保MOSFET处于理想的开关状态。
    问题二:如何进行有效的散热?
    解决方案:选择合适尺寸的散热片,并在PCB布局时确保MOSFET的良好通风。使用导热膏和热界面材料以提高热传导效率。

    7. 总结和推荐


    HYG180N10LS1D是一款出色的单个N通道增强模式MOSFET,具备优良的电气特性和可靠性。其广泛应用领域和优秀的性能使其成为电力电子领域的理想选择。我们强烈推荐此产品用于高要求的应用场合。欲了解更多信息,请联系销售部门或访问官网:www.hymexa.com。

HYG180N10LS1D参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252-2

HYG180N10LS1D厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG180N10LS1D数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG180N10LS1D HYG180N10LS1D数据手册

HYG180N10LS1D封装设计

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