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HYG028N10NS1P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 176nC@ 10V 2.6mΩ@ 10V,50A 230A TO-220FB-3L
供应商型号: HYG028N10NS1P TO-220FB-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1P

HYG028N10NS1P概述

    HYG028N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HYG028N10NS1P/B 是一款由 Huayi Microelectronics 生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该产品具备高耐压和大电流处理能力,适用于功率开关应用、不间断电源(UPS)和电机控制等领域。该 MOSFET 集成了先进的技术,具有优异的可靠性和鲁棒性,且完全符合 RoHS 和无卤素标准。

    技术参数


    - 电气特性
    - 绝对最大额定值
    - VDSS(漏源电压):100 V
    - VGSS(栅源电压):±20 V
    - TJ(最大结温):-55 到 175 °C
    - IS(源电流连续,二极管):230 A(Tc=25°C)
    - IDM(脉冲漏电流):610 A(Tc=25°C)
    - PD(最大耗散功率):300 W(Tc=25°C),150 W(Tc=100°C)

    - 静态特性
    - BVDSS(漏源击穿电压):100 V(VGS=0V, IDS=250μA)
    - IDSS(漏源漏电电流):1.0 μA(VDS=100V, VGS=0V)
    - VGS(th)(栅阈值电压):2 V 至 4 V
    - RDS(ON)(导通电阻):2.6 mΩ(VGS=10V, IDS=50A)
    - 动态特性
    - RG(栅极电阻):2.8 Ω(VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz)
    - Ciss(输入电容):10320 pF(VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz)
    - td(ON)(开通延迟时间):27.3 ns(VDD=50V, RG=2.5Ω, IDS=50A, VGS=10V)
    - 热特性
    - RθJC(结到壳热阻):0.5 °C/W
    - RθJA(结到环境热阻):62 °C/W
    - 瞬态雪崩特性
    - EAS(单脉冲雪崩能量):980.7 mJ(L=0.3mH)

    产品特点和优势


    HYG028N10NS1P/B 具备以下显著特点和优势:
    - 高可靠性与坚固性:经过 100% 雪崩测试,确保在极端条件下的稳定性。
    - 低导通电阻:RDS(ON)=2.6 mΩ(典型值),实现高效功率转换。
    - 环保设计:提供无铅、绿色设备选择,符合 RoHS 和无卤素标准。

    应用案例和使用建议


    HYG028N10NS1P/B 主要应用于以下几个领域:
    - 电源开关:适用于各种开关电源设计,如高频开关电源。
    - 不间断电源(UPS):可用于保持电力供应的连续性。
    - 电机控制:适用于工业自动化设备中的电机驱动。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保散热良好以避免过热。
    - 使用前仔细阅读数据手册中的相关规范和注意事项,特别是关于绝对最大额定值的部分。

    兼容性和支持


    - 兼容性:HYG028N10NS1P/B 可通过两种封装方式获得,即 TO-220FB-3L 和 TO-263-2L,具体取决于应用需求。
    - 支持:Huayi Microelectronics 提供广泛的技术支持和售后服务。如果您需要进一步的帮助或有任何疑问,请联系销售团队(sales@hymexa.com)或技术支持部门(Technology@hymexa.com)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高电流状态下无法正常工作。
    - 解决方案:检查设备的散热是否充分,确保散热片或其他冷却措施到位。

    - 问题2:设备在高温度环境下表现不稳定。
    - 解决方案:确保工作温度在规定的范围内,并适当调整散热措施。

    总结和推荐


    HYG028N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 经过了全面的设计和严格的测试,以其出色的性能和可靠性,在多种应用中展现出色的表现。其低导通电阻、高耐压能力和坚固耐用的设计使其成为众多电子应用的理想选择。强烈推荐此产品给寻求高效能和可靠性的工程师和技术人员。
    如果您对 HYG028N10NS1P/B 有任何疑问或需要进一步的信息,请访问 Huayi Microelectronics 的官方网站(www.hymexa.com)或联系他们的客户服务团队。

HYG028N10NS1P参数

参数
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6mΩ@ 10V,50A
栅极电荷 176nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 230A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220FB-3L

HYG028N10NS1P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG028N10NS1P数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG028N10NS1P HYG028N10NS1P数据手册

HYG028N10NS1P封装设计

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