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HYG032N08NS1P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG032N08NS1P TO-220FB-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG032N08NS1P

HYG032N08NS1P概述

    # N-Channel Enhancement Mode MOSFET (HYG032N08NS1P/B)

    产品简介


    HYG032N08NS1P/B 是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于多种电力管理和开关应用。其主要功能包括出色的耐热性能和高可靠性,使其成为各种电源管理和电机控制应用的理想选择。此外,该产品符合RoHS标准,是一款无铅绿色环保器件。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 80 | V |
    | VGSS | 栅源电压 | ±20 | V |
    | TJ | 结温范围 | -55至175 | °C |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55至175 | °C |
    | IS | 连续源电流 | 180 | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | 660 | A |
    | ID | 漏极连续电流 | 180 | A |
    | PD | 最大耗散功率 | 220.6 | W |
    | RθJC | 热阻,结到外壳 | 0.68 | °C/W |
    | RθJA | 热阻,结到环境 | 62.5 | °C/W |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 607 | mJ |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V, IDS= 250μA | V |
    | IDSS | 源漏漏电流 | VDS= 80V, VGS=0V | μA |
    | VGS(th) | 栅阈值电压 | VDS=VGS, IDS= 250μA | V |
    | IGSS | 栅源漏电流 | VGS=±20V, VDS=0V | nA |
    | RDS(ON) | 导通电阻 | VGS= 10V, IDS= 50A | mΩ |
    | VSD | 二极管正向电压 | ISD=50A, VGS=0V | V |
    | trr | 反向恢复时间 | ISD=50A, dISD/dt=100A/μs | ns |
    | Qrr | 反向恢复电荷 | - | nC |
    动态特性
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 单位 |
    ||
    | RG | 栅极电阻 | VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz | Ω |
    | Ciss | 输入电容 | VGS=0V, VDS= 25V, Frequency=1.0MHz | pF |
    | Coss | 输出电容 | - | pF |
    | Crss | 互转电容 | - | - |
    | td(ON) | 开启延迟时间 | VDD= 40V, RG=4Ω, IDS= 50A, VGS= 10V | ns |
    | Tr | 上升时间 | - | ns |
    | td(OFF) | 关闭延迟时间 | - | - |
    | Tf | 关闭下降时间 | - | ns |
    | Qg | 总栅极电荷 | VDS = 64V, VGS= 10V, IDS= 50A | nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(ON)=3 mΩ(typ.)@VGS = 10V,保证高效的电流传输能力。
    2. 高可靠性:通过100%雪崩测试,确保在极端工作条件下依然稳定可靠。
    3. 绿色环保:符合RoHS标准,采用无卤素材料,满足当前环保要求。
    4. 大电流处理能力:支持高达180A的连续电流和660A的脉冲电流,适合高压大电流应用场景。
    5. 宽工作温度范围:可在-55°C至175°C范围内工作,适用于各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关应用:用于逆变器系统的开关操作,提高系统效率。
    2. 电源管理:适用于电机控制系统,实现高效能的电机驱动。
    3. 工业应用:广泛应用于电力转换器和工业自动化设备。
    使用建议
    1. 散热设计:由于具有高电流和高功耗,建议使用较大的散热片以确保良好的热管理。
    2. 驱动电路:使用适当的栅极驱动电阻(如3Ω)可以减小栅极振铃现象,提高开关速度和稳定性。
    3. 保护措施:在高压环境中使用时,需增加过压保护措施,如TVS二极管,以防止电压尖峰损坏器件。

    兼容性和支持


    兼容性
    该器件提供两种封装形式:TO-220FB-3L 和 TO-263-2L。适用于多种电路板设计需求。该产品还支持Sn-Pb和无铅焊接工艺,适应不同的生产环境。
    厂商支持
    - 全球销售和服务:通过 sales@hymexa.com 获得全球销售和技术支持服务。
    - 可靠性测试:包括焊接性、高温反偏、压力测试、温度循环测试等。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 开机启动时温度过高:确保良好散热设计,增加散热片。
    2. 漏电流过大:检查电路连接,确保所有引脚正确安装。
    3. 驱动不稳定:适当调整栅极电阻以减少振铃现象。
    解决方案
    1. 检查散热设计:增加散热片面积,确保良好的热管理。
    2. 确认连接正确:重新检查电路连接,确保所有引脚正确安装。
    3. 调整栅极电阻:根据实际情况选择合适的栅极电阻,优化电路性能。

    总结和推荐


    HYG032N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适用于多种高压大电流应用场景。其低导通电阻、高电流处理能力和绿色环保特性使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在电源管理和电机控制等领域广泛应用。

HYG032N08NS1P参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220FB-3L

HYG032N08NS1P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG032N08NS1P数据手册

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HYG032N08NS1P封装设计

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