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HYG025N04NA1C2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG025N04NA1C2
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG025N04NA1C2

HYG025N04NA1C2概述

    # 技术手册:HYG025N04NA1C2 单通道 N 沟道增强型 MOSFET

    产品简介


    HYG025N04NA1C2 是一款高性能单通道 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于各种负载开关和锂离子电池保护电路。此产品通过提供低导通电阻(RDS(ON))、高耐受电流能力、优秀的可靠性及鲁棒性,广泛应用于各类高功率应用场合。
    主要特点
    - 最大栅源电压:±20V
    - 最大漏源电压:40V
    - 最大漏极连续电流:190A(环境温度为25℃)
    - 最大脉冲漏极电流:720A(环境温度为25℃)
    - 最大栅极电荷:122.2nC(VDS=32V, VGS=10V, IDS=60A)
    应用领域
    - 负载开关
    - 锂电池保护板

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏-源电压 | 40 | V |
    | VGSS | 栅-源电压 | ±20 | V |
    | TJ | 结温范围 | -55 至 175 | ℃ |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 至 175 | ℃ |
    | IS | 源极连续电流 | 190 | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | 720 | A |
    | PD | 最大耗散功率 | 130 | W(环境温度为25℃) |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V, IDS=250μA | 40 | - | - | V |
    | IDSS | 漏-源漏电流 | VDS=40V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | VDS=VGS, IDS=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
    | RDS(ON) | 导通电阻 | VGS=10V, IDS=60A | - | 1.4 | 1.8 | mΩ |

    产品特点和优势


    HYG025N04NA1C2 具有卓越的可靠性和鲁棒性,能够在高电流环境下稳定工作。其最大的特点是低导通电阻(1.4mΩ),可显著减少功率损耗,提高系统效率。此外,该产品经过100%雪崩测试,确保其在极端条件下的耐用性和稳定性。产品还支持无卤素设计,符合RoHS标准,这使其在市场上具有强大的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:适用于需要高开关频率和高可靠性的应用,如电源管理系统中的直流转换器。
    - 锂电池保护板:适合于需要高度可靠的过流和短路保护的应用,例如笔记本电脑和平板电脑。
    使用建议
    - 在设计系统时,应考虑散热问题,以确保MOSFET能在规定的温度范围内正常工作。
    - 尽量选择合适的驱动器,以避免过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 确保焊接过程符合制造商推荐的再流焊曲线,以避免因过热而损害器件。

    兼容性和支持


    该产品采用PDFN8L(5x6)封装,与大多数标准电路板兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括售前咨询和售后维护。联系方式如下:
    - 销售和支持:sales@hymexa.com
    - 技术支持:technology@hymexa.com

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:MOSFET 过热
    解决方案:检查散热设计是否合理,考虑使用散热片或其他冷却方法来改善散热效果。

    2. 问题:器件失效
    解决方案:确认所有电气参数均在规定范围内,检查是否存在短路或开路现象。

    总结和推荐


    综上所述,HYG025N04NA1C2 MOSFET 是一款非常适合高电流应用的产品,其低导通电阻和高可靠性使其在电源管理、负载开关和电池保护等领域具有很强的应用价值。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的设计师和技术工程师。

HYG025N04NA1C2参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DFN-8

HYG025N04NA1C2厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG025N04NA1C2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG025N04NA1C2 HYG025N04NA1C2数据手册

HYG025N04NA1C2封装设计

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