处理中...

首页  >  产品百科  >  HY4903B

HY4903B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 214W 3V@ 250uA 30V 2mΩ@ 10V,145A 290A TO-263-2
供应商型号: HY4903B TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY4903B

HY4903B概述

    HY4903P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HY4903P/B 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为开关应用和直流到直流电源管理而设计。它具有低导通电阻(RDS(ON))和高电流承载能力,使其成为多种电力转换应用的理想选择。

    技术参数


    以下是HY4903P/B的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 规格范围 | 测试条件 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 30V
    | 栅源电压(VGS) | ±20V
    | 最大结温(TJ) | 175°C
    | 存储温度范围(TSTG) | -55°C至175°C
    | 漏极连续电流(ID) | 290A (TC=25°C) | 安装在大型散热器上 |
    | 最大功耗(PD) | 200W (TC=100°C)
    | 热阻(RθJC) | 30°C/W
    | 热阻(RθJA) | 62.5°C/W
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 220mJ

    产品特点和优势


    HY4903P/B具备以下显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:典型值为1.6mΩ,使器件在高电流条件下具有较低的损耗。
    2. 高温稳定性:最大结温可达175°C,确保在恶劣环境下稳定运行。
    3. 雪崩耐受性:100%雪崩测试通过,确保长期可靠性和耐用性。
    4. 优异的动态性能:快速的开关时间(如td(ON)和td(OFF))减少了开关损耗,提高了能效。

    应用案例和使用建议


    HY4903P/B广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域。例如,在开关电源中,它可以用于同步整流,减少损耗并提高效率。
    使用建议:
    - 在使用时,请确保安装适当的散热措施以避免过热。
    - 注意栅极驱动信号的质量,避免过压损坏。

    兼容性和支持


    HY4903P/B提供两种封装形式:TO-220FB-3L 和 TO-263-2L,可以轻松与其他标准部件兼容。厂商提供了全球销售和售后服务支持,包括技术支持和可靠性测试服务。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及其解决方案:
    1. 问题:过高的栅极漏电流。
    - 解决方案:检查电路设计和焊接质量,确保栅极驱动电路稳定。

    2. 问题:器件过热。
    - 解决方案:增加散热片或风扇,提高散热效果。

    总结和推荐


    HY4903P/B是一款优秀的N沟道增强型MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和优良的温度稳定性,在电力转换和开关电源应用中表现出色。推荐在需要高效能、高可靠性的应用场景中使用该产品。

HY4903B参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 290A
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 10V,145A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 214W
通道数量 -
通用封装 TO-263-2

HY4903B厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY4903B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HY4903B HY4903B数据手册

HY4903B封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
800+ ¥ 3.42
2400+ ¥ 3.3744
4000+ ¥ 3.306
4800+ ¥ 3.2376
库存: 2000
起订量: 800 增量: 800
交货地:
最小起订量为:800
合计: ¥ 2736
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336