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HY12P03C2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 42W(Tc) 3V@ 250uA 30V 11.5mΩ@ 10V,12A 50A DFN-8
供应商型号: HY12P03C2 DFN5*6
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY12P03C2

HY12P03C2概述

    # HY12P03C2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HY12P03C2 是一款由 Huayi 公司生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款MOSFET以其高频率、大电流处理能力和出色的可靠性而著称,适用于高要求的应用场合,如高频率点负载同步降压转换器、动力工具应用及网络直流-直流电源系统。此外,它还符合环保标准,无卤素材料,适用于对环境有严格要求的应用场景。

    技术参数


    基本电气特性
    | 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | VGS=0V, IDS= -250μA | -30 V |
    | IDSS | 漏极-源极漏电流 | VDS= -30V,VGS=0V -1 | μA |
    | IDSS | 漏极-源极漏电流 | VDS= -30V,VGS=0V -5 | μA |
    | VGS(th) | 门限电压 | VDS=VGS, IDS= -250μA | -1 | -1.4 | -3 | V |
    | IGSS | 门-源泄漏电流 | VGS=±20V,VDS=0V ±100 | nA |
    | RDS(ON) | 导通电阻 | VGS= -10V, IDS= -12A 10.4 | 11.5 | mΩ |
    | RDS(ON) | 导通电阻 | VGS= -4.5V, IDS= -9A 14.2 | 16.0 | mΩ |
    | VSD | 二极管正向电压 | ISD= -12A,VGS=0V 0.9 | 1.3 | V |
    | trr | 反向恢复时间 | ISD=12A,dISD/dt=100A/μs 30 ns |
    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
    | VGSS | 门-源电压 | ±20 | V |
    | TJ | 最大结温 | 150 | °C |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 | 至 | 150 | °C |
    | IS | 源极连续电流(体二极管) | -50 | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | -200 | A |
    | PD | 最大功耗 | 42 | W |
    | RθJC | 热阻,结到壳 | 3 | °C/W |
    | RθJA | 热阻,结到环境 | 45 | °C/W |

    产品特点和优势


    HY12P03C2 具备以下独特功能和优势:
    - 极低的导通电阻:在典型条件下,其在 VGS = -10V时的 RDS(ON) 仅为 10.4 mΩ,在 VGS = -4.5V时为 14.2 mΩ。
    - 高可靠性:通过100%的雪崩测试,保证其在极端工作条件下的稳定性。
    - 无卤素设计:符合环保标准,适合广泛应用。
    - 支持多种应用:适用于高频率点负载同步降压转换器、动力工具和网络直流-直流电源系统等。
    - 宽广的工作温度范围:从 -55°C 到 150°C,确保在各种恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HY12P03C2 主要应用于高频率点负载同步降压转换器、动力工具和网络直流-直流电源系统。这些应用要求MOSFET能够在高频率下高效工作,同时具有良好的热管理和可靠性。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保考虑到最高结温(150°C),避免长时间超过此温度。
    - 在高频率应用中,合理选择栅极电阻以减少开关损耗。
    - 使用大面积散热器以提高散热效率,降低 RθJC 和 RθJA 的影响。

    兼容性和支持


    HY12P03C2 可与其他标准P沟道MOSFET兼容,支持常见的封装和引脚配置。Huayi 提供全面的技术支持,包括售前咨询、售后维护和技术培训。您可以访问官方网站 [www.hymexa.com](http://www.hymexa.com) 获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 问题:如何判断HY12P03C2是否损坏?
    - 解决方案: 使用万用表测量漏极-源极电压和门-源电压,确保它们在正常范围内。如果发现异常,则可能需要进一步检查其他参数或更换MOSFET。
    2. 问题:在高温环境下工作时,HY12P03C2的性能会受到什么影响?
    - 解决方案: 在高温环境下,需要特别关注其最大结温(150°C)。使用大尺寸散热器并尽量减少工作负载以保持在安全范围内。此外,确保电路板设计能够有效散热。

    总结和推荐


    HY12P03C2是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET,特别适用于需要高频率、大电流处理能力和优良热管理的应用场景。其低导通电阻和无卤素设计使其在市场上具备很强的竞争力。总体而言,我们强烈推荐HY12P03C2作为高性能电子设备中的关键元器件。如果您正在寻找一款能够满足苛刻要求的MOSFET,HY12P03C2无疑是一个明智的选择。

HY12P03C2参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11.5mΩ@ 10V,12A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 42W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 DFN-8

HY12P03C2厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY12P03C2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HY12P03C2 HY12P03C2数据手册

HY12P03C2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.735
300+ ¥ 0.7252
500+ ¥ 0.7105
25000+ ¥ 0.6958
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