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HYG023N03LR1D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 93nC@ 10V 2.1mΩ@ 10V,20A 110A TO-252-2
供应商型号: HYG023N03LR1D
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG023N03LR1D

HYG023N03LR1D概述

    # HYG023N03LR1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    HYG023N03LR1D/U/V 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,由华羿微电子有限公司(Huayi Microelectronics)制造。这款MOSFET具有出色的电气特性和可靠性,广泛应用于开关电源、直流到直流转换、电池保护等领域。它具有优异的热阻性能,能够在高温环境下稳定工作。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS: 漏源电压 - 30V
    - VGSS: 栅源电压 - ±20V
    - TJ: 结温范围 - -55°C 至 175°C
    - TSTG: 存储温度范围 - -55°C 至 175°C
    - IS: 源极电流(连续) - 110A(Tc=25°C,安装在大散热片上)
    - IDM: 脉冲漏极电流 - 420A(Tc=25°C)
    - ID: 连续漏极电流 - 110A(Tc=25°C),78A(Tc=100°C)
    - PD: 最大功率耗散 - 62.5W(Tc=25°C),31W(Tc=100°C)
    - RθJC: 热阻(结到壳) - 2.4°C/W
    - RθJA: 热阻(结到环境) - 110°C/W
    - EAS: 单脉冲雪崩能量 - 226mJ(L=0.3mH)
    电气特性(Tc=25°C)
    - BVDSS: 漏源击穿电压 - 30V
    - IDSS: 漏源漏电流 - 1.0μA(VDS=30V, VGS=0V)
    - TJ=125°C - 50μA
    - VGS(th): 栅阈电压 - 1.0V 至 3.0V
    - IGSS: 栅源漏电流 - ±100nA
    - RDS(ON): 漏源导通电阻 - 2.1mΩ(VGS=10V, IDS=20A),2.7mΩ(VGS=4.5V, IDS=20A)
    - VSD: 二极管正向电压 - 0.86V 至 1.2V(ISD=20A, VGS=0V)
    - trr: 反向恢复时间 - 42ns
    - Qrr: 反向恢复电荷 - 39nC
    动态特性
    - RG: 栅电阻 - 2.3Ω(VGS=0V, VDS=0V, 频率=1.0MHz)
    - Ciss: 输入电容 - 4710pF(VGS=0V, VDS=25V, 频率=1.0MHz)
    - Coss: 输出电容 - 561pF
    - Crss: 反向传输电容 - 462pF
    - td(ON): 开启延时时间 - 25ns(VDD=24V, RG=4Ω, IDS=20A, VGS=10V)
    - Tr: 开启上升时间 - 24ns
    - td(OFF): 关闭延时时间 - 91ns
    - Tf: 关闭下降时间 - 39ns
    门极电荷特性
    - Qg: 总门极电荷 - 93nC(VDS=24V, VGS=10V, IDS=20A)
    - Qgs: 门极源极电荷 - 11.1nC
    - Qgd: 门极漏极电荷 - 23.9nC

    产品特点和优势


    HYG023N03LR1D/U/V 具有以下独特功能和优势:
    1. 低导通电阻:RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=4.5V 下分别为 2.1mΩ 和 2.7mΩ,非常适合高效率应用。
    2. 可靠性和坚固性:该产品经过100%的雪崩测试,确保了高度的可靠性和耐用性。
    3. 环保:提供无卤素和符合RoHS标准的产品,满足现代绿色生产要求。
    4. 广泛的温度适应性:工作温度范围广,从-55°C 到 175°C,适合各种严苛的应用环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:HYG023N03LR1D/U/V 可以作为开关电源中的关键组件,实现高效稳定的电源转换。
    - 电池保护:由于其优秀的耐高温和低漏电特性,它可以在电池管理系统中发挥重要作用,确保电池安全。
    - DC/DC转换器:它在DC/DC转换器中能提供出色的效率和稳定性。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的功率耗散,建议在高负载应用中使用散热器或散热板来提高散热效果。
    - 栅极驱动电路设计:合理的栅极驱动设计可以减少开关损耗,从而提升整体系统效率。
    - 注意电源线路布局:避免长距离的电源线布局,以减少杂散电感,从而改善系统的瞬态响应。

    兼容性和支持


    HYG023N03LR1D/U/V 支持多种封装形式,包括TO-252-2L、TO-251-3L和TO-251-3S。该产品与现有的电子元器件和设备具有良好的兼容性,且华羿微电子提供了全面的技术支持和服务。如有任何技术疑问或需要帮助,可联系技术支持团队获取专业指导。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解决方法:通过万用表测量漏源电阻RDS(ON),如果远大于正常值,则可能损坏。
    2. 在高电流下工作时,如何防止过热?
    - 解决方法:使用大尺寸散热器,并确保良好的空气流通。此外,可以通过降低开关频率或减小开关电压来减少热耗散。
    3. 如何确定合适的栅极电阻?
    - 解决方法:根据应用需求选择合适的栅极电阻值,通常在2Ω至10Ω之间。

    总结和推荐


    HYG023N03LR1D/U/V是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOSFET,适用于各种电力管理和转换应用。其优异的电气特性、可靠的雪崩测试结果和环保特性使其在市场上具有很高的竞争力。结合良好的技术支持和服务,我们强烈推荐这款产品给需要高性能电子元件的工程师和制造商。

HYG023N03LR1D参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 110A
栅极电荷 93nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 10V,20A
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252-2

HYG023N03LR1D厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG023N03LR1D数据手册

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