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HY1403D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W(Tc) 3V@ 250uA 30V 11mΩ@ 10V,21A 42A TO-252-2
供应商型号: HY1403D
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY1403D

HY1403D概述

    HY1403D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HY1403D/U/V 是一款由 Huayi Microelectronics 推出的高性能 N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型 N 沟道场效应晶体管),其主要特点包括极低的导通电阻、高电流承载能力以及良好的热稳定性和可靠性。这种器件专为开关应用设计,广泛应用于电源管理(如 DC/DC 转换)、电机驱动及照明系统等领域。产品采用 TO-252-2L、TO-251-3L 和 TO-251-3S 封装形式,提供不同封装选项以满足不同的设计需求。

    2. 技术参数


    以下为 HY1403D/U/V 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压范围 | -20 | - | +20 | V |
    | 最大工作结温 150 °C |
    | 存储温度范围 | -55 +150 | °C |
    | 漏极连续电流(TC=25°C) 42 A |
    | 漏极连续电流(TC=100°C) 30 A |
    | 导通电阻(VGS=10V) 10 | 14 | mΩ |
    | 反向恢复电荷(IDS=21A) - | - | nC |
    | 热阻(结到外壳) 70 °C/W |
    | 热阻(结到环境) 110 °C/W |
    其他特性还包括:
    - 支持高达 30V 的漏源电压;
    - 经过 100% 雪崩测试,确保可靠性;
    - 提供无卤素和绿色版本,符合 RoHS 标准。

    3. 产品特点和优势


    HY1403D/U/V 的主要特点和优势如下:
    - 超低导通电阻:典型值仅为 10mΩ(VGS=10V),大幅降低了功耗并提高了效率。
    - 高电流承载能力:能够处理高达 42A 的连续电流。
    - 高可靠性:经过严格的雪崩测试,适用于恶劣的工作环境。
    - 绿色环保:符合 RoHS 标准,提供无卤素版本,便于环保设计。
    - 多种封装选择:包括 TO-252-2L、TO-251-3L 和 TO-251-3S,适合不同的 PCB 布局需求。
    这些特点使其在开关电源、电机驱动和照明控制等领域具有显著的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    HY1403D/U/V 广泛应用于以下场景:
    - DC/DC 转换器:作为高效开关元件,用于降压或升压转换。
    - 电机驱动电路:用于驱动低功率电机,减少发热和损耗。
    - 照明系统:用于 LED 驱动电路,提高能效。
    使用建议:
    - 在设计时需注意散热问题,尤其是在高温环境下,可通过增加散热片来提升性能。
    - 使用低栅极电阻(如 3Ω)以优化开关速度,同时避免过高频率引起的过热。
    - 结合外部保护电路,如续流二极管,防止反向电压冲击。

    5. 兼容性和支持


    HY1403D/U/V 与大多数主流 PCB 设计兼容,可直接替换同类产品。Huayi Microelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括:
    - 技术咨询和技术文档;
    - 样品申请及快速交付服务;
    - 定制化封装和参数调整服务。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方案:
    - 问题:开启延迟时间过长
    解决办法:降低栅极电阻值或提高驱动电压。
    - 问题:过热导致性能下降
    解决办法:增加散热片面积或改善通风条件。
    - 问题:噪声干扰严重
    解决办法:在电路中添加滤波电容或屏蔽罩。

    7. 总结和推荐


    HY1403D/U/V 是一款兼具高效能和高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高性能和小型化的现代电子系统。其极低的导通电阻、高电流承载能力和丰富的封装选择,使其在市场上具有显著的优势。对于需要优化效率和成本的设计,我们强烈推荐此产品。
    联系方式:
    销售邮箱:sales@hymexa.com
    技术支持:Technology@hymexa.com
    结论:推荐使用 HY1403D/U/V!

HY1403D参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 30W(Tc)
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 10V,21A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 42A
通用封装 TO-252-2

HY1403D厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY1403D数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HY1403D HY1403D数据手册

HY1403D封装设计

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