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HY1908P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 185W(Tc) 4V@ 250uA 80V 9mΩ@ 10V,45A 90A TO-220FB-3L
供应商型号: HY1908P TO-220FB-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY1908P

HY1908P概述

    # HY1908 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HY1908是一款N沟道增强型MOSFET,具有高电压(最高可达80V)和高电流(最高可达90A)的特点。这款器件在开关应用和逆变系统电源管理方面表现出色,被广泛应用于工业控制、电动车辆、照明设备等多个领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 80 | V |
    | 栅源电压 | VGSS | ±25 | V |
    | 最大结温 | TJ | -55到175 | °C |
    | 存储温度范围 | TSTG | -55到175 | °C |
    | 源电流-连续 | IS | 90 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 360 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | Tc=25°C:185| W |
    | 热阻抗,结至壳 | RTJC | 0.81 | °C/W |
    | 热阻抗,结至环境 | RTJA | 62.5 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, IDS=250μA | 80 | - | - | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=±25V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, IDS=250μA | 2 | 3 | 4 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V, IDS=45A | - | 7 | 9 | mΩ |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | VGS=0V,VDS=25V,F=1MHz | - | 3800 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 389 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 250 | - | pF |
    | 开启延迟时间 | td(ON) | VDD=40V,RG=6Ω, IDS=45A,VGS=10V | - | 25 | 45 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(OFF) | - | - | 62 | 100 | ns |

    产品特点和优势


    HY1908 MOSFET 的主要优势包括:
    - 高可靠性与坚固性:经过100%雪崩测试,确保在极端条件下也能可靠工作。
    - 低导通电阻:典型值仅为7mΩ(@VGS=10V),能够有效减少功耗和热损耗。
    - 无铅设计:完全符合RoHS标准,绿色环保。
    - 多种封装选择:提供TO-220FB-3L、TO-220FB-3S、TO-263-2L等多种封装形式,满足不同应用需求。

    应用案例和使用建议


    HY1908 MOSFET 广泛应用于各种开关电路中,如逆变系统、电源管理和电机驱动等。对于需要高电流和高压的应用,如工业自动化和电力电子系统,HY1908是理想的选择。为了更好地发挥其性能,建议在设计时尽量减小栅极电阻(例如6Ω),并确保良好的散热设计,以降低结温。

    兼容性和支持


    HY1908 MOSFET 可以与大多数主流电子元件和设备兼容。厂商提供详细的技术支持和售后服务,通过技术支持邮箱 Technology@hymexa.com 或全球销售服务邮箱 sales@hymexa.com 可获取帮助。此外,厂商网站 www.hymexa.com 提供全面的产品文档和技术资料下载。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 答:可以通过测量漏源电阻(RDS(ON))来判断,如果RDS(ON)显著增加,则说明MOSFET可能已经损坏。
    2. 问:如何避免过高的结温?
    - 答:应确保良好的散热设计,并适当增大栅极电阻以减少开关损耗。
    3. 问:如何避免电磁干扰?
    - 答:可以在电源线路上加装滤波器,同时采用短而粗的信号线,减少信号线长度,以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    HY1908 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,非常适合于高电流和高压应用。其独特的功能和优势使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子工程项目。

HY1908P参数

参数
最大功率耗散 185W(Tc)
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 90A
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V,45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220FB-3L

HY1908P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY1908P数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HY1908P HY1908P数据手册

HY1908P封装设计

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