处理中...

首页  >  产品百科  >  HY1915P

HY1915P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 263W(Tc) 5V@ 250uA 150V 18mΩ@ 10V,30A 85A TO-220FB-3L
供应商型号: HY1915P TO-220FB-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY1915P

HY1915P概述

    # HY1915P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HY1915P/B 是一款 N-Channel 增强型 MOSFET,专为高功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻(RDS(ON))和高电流处理能力,适用于不间断电源、电机控制及各种功率转换应用。作为 Huayi 半导体有限公司的产品,HY1915P/B 符合 RoHS 标准并采用无铅制造工艺,保证环保和可靠性能。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS: 漏源电压 150 V
    - VGSS: 栅源电压 ±20 V
    - TJ: 最大结温 175°C
    - TSTG: 存储温度范围 -55°C 到 175°C
    - IS: 连续源电流 85 A (在 Tc=25°C 条件下)
    - IDM: 脉冲漏极电流 340 A (在 Tc=25°C 条件下)
    - PD: 最大功耗 263 W (在 Tc=25°C 条件下)
    - RθJC: 结至壳热阻 0.57 °C/W
    - RθJA: 结至环境热阻 62 °C/W
    - EAS: 单脉冲雪崩能量 655 mJ
    静态电气特性
    - BVDSS: 漏源击穿电压 150 V (在 VGS=0V, IDS=250μA 条件下)
    - IDSS: 漏源漏电流 1.0 μA (在 VDS=150V, VGS=0V 条件下)
    - VGS(th): 栅阈值电压 3.0-5.0 V (在 VDS=VGS, IDS=250μA 条件下)
    - IGSS: 栅源漏电流 ±100 nA (在 VGS=±20V, VDS=0V 条件下)
    - RDS(ON): 导通电阻 15 mΩ (在 VGS=10V, IDS=30A 条件下)
    动态电气特性
    - RG: 栅电阻 3.1 Ω
    - Ciss: 输入电容 5125 pF
    - Coss: 输出电容 384 pF
    - Crss: 反向传输电容 161 pF
    - td(ON): 开启延迟时间 28 ns
    - Tr: 上升时间 30 ns
    - td(OFF): 关闭延迟时间 95 ns
    - Tf: 下降时间 40 ns
    - Qg: 总栅极电荷 103 nC

    产品特点和优势


    HY1915P/B 具有如下特点和优势:
    - 高可靠性:经过 100% 雪崩测试,确保在极端条件下的耐用性。
    - 低导通电阻:RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS = 10V,提高效率。
    - 适用广泛:适用于高功率开关应用、不间断电源及电机控制等领域。
    - 环保材料:无铅且符合 RoHS 标准,适合绿色制造。

    应用案例和使用建议


    HY1915P/B 可用于多种高功率应用场合,如:
    - 电源开关应用:提供高效的电源开关控制。
    - 不间断电源 (UPS):确保在断电时能无缝切换至备用电源。
    - 电机控制:用于高效且可靠的电机驱动系统。
    使用建议:
    - 在选择电路布局时,注意散热设计以确保长期稳定运行。
    - 根据具体应用场景调整驱动电路,以优化性能。

    兼容性和支持


    HY1915P/B 可封装于 TO-220FB-3L 和 TO-263-2L 两种形式。Huayi 半导体提供全球销售和售后服务,技术支持邮箱为 technology@hymexa.com,可随时咨询技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在何种条件下 RDS(ON) 的值会显著变化?
    - 答:RDS(ON) 随温度变化而变化,温度升高会导致 RDS(ON) 增加。建议在设计时考虑温度补偿机制。

    2. 问:如何改善散热以延长使用寿命?
    - 答:使用大面积散热器并确保良好的气流,降低热阻,提高工作寿命。

    总结和推荐


    HY1915P/B 以其高可靠性和高性能在高功率开关应用中表现出色。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为市场上颇具竞争力的选择。对于需要高可靠性和良好热管理的应用,HY1915P/B 是理想的选择。我们强烈推荐在高功率电子设备中使用该产品。

HY1915P参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
最大功率耗散 263W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V,30A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250uA
FET类型 -
Id-连续漏极电流 85A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220FB-3L

HY1915P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY1915P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HY1915P HY1915P数据手册

HY1915P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 4.14
5000+ ¥ 3.9675
库存: 12000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 4140
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336