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HYG024N03LR1C2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG024N03LR1C2 PPAK5*6
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG024N03LR1C2

HYG024N03LR1C2概述

    HYG024N03LR1C2 技术手册解析

    产品简介


    HYG024N03LR1C2 是一款单 N 沟道增强型 MOSFET,适用于各种电源管理及负载开关应用。该器件具有低导通电阻(RDS(ON)),能够提供高电流处理能力和优良的热稳定性,广泛应用于电池保护、电动工具等领域。

    技术参数


    HYG024N03LR1C2 的关键技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDSS):30V
    - 最大栅源电压 (VGSS):±20V
    - 最大结温 (TJ):-55°C 到 175°C
    - 最大连续漏极电流 (ID):140A(在 Tc=25°C 下)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):660A(在 Tc=25°C 下)
    - 最大功率耗散 (PD):71.4W(在 Tc=25°C 下)
    - 热阻 (RθJC):2.1°C/W
    - 热阻 (RθJA):50°C/W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):289mJ

    产品特点和优势


    HYG024N03LR1C2 具有以下显著特点:
    - 低导通电阻:RDS(ON) 最低可达 1.6mΩ (VGS=10V),适合高效率应用。
    - 高可靠性:通过 100% 雪崩测试,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
    - 无卤素设计:符合 RoHS 标准,环保且安全。
    - 高性能:在典型操作条件下,性能优越,满足各类苛刻应用需求。

    应用案例和使用建议


    HYG024N03LR1C2 主要应用于电池保护和电动工具领域,例如:
    - 电池保护:作为开关器件,防止过流和过压对电池造成损害。
    - 电动工具:提供高效能、高可靠性的电力控制,确保设备正常运行。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,应注意器件的工作温度范围和热阻,合理选择散热措施。
    - 在电动工具应用中,建议采用大散热片以保证器件的稳定运行。

    兼容性和支持


    HYG024N03LR1C2 支持标准的表面贴装工艺,与现有的 FR-4 印刷电路板兼容。厂商提供全方位的技术支持和客户服务,客户可以通过电子邮件(sales@hymexa.com 和 technology@hymexa.com)获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 器件工作温度过高
    - 解决办法: 采用外部散热措施,如安装散热片或风扇,改善散热效果。

    - 问题2: 漏电流过大
    - 解决办法: 确保正确连接所有引脚,并检查 PCB 设计是否合理,避免不必要的寄生电容。

    总结和推荐


    HYG024N03LR1C2 是一款高度可靠的高性能 N 沟道增强型 MOSFET,特别适合于高功率应用。它具备出色的导通电阻、耐高温性能和高可靠性,因此非常适合用于电池保护和电动工具等场合。强烈推荐使用该器件来提高系统的整体性能和可靠性。

HYG024N03LR1C2参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 DFN5*6-8L

HYG024N03LR1C2厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG024N03LR1C2数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG024N03LR1C2 HYG024N03LR1C2数据手册

HYG024N03LR1C2封装设计

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