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HYG110P04LQ2C2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 76nC@ 10V 9mΩ@ 10V,20A 55A DFN-8
供应商型号: HYG110P04LQ2C2
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG110P04LQ2C2

HYG110P04LQ2C2概述

    # HYG110P04LQ2C2 单个P沟道增强型MOSFET技术手册

    产品简介


    HYG110P04LQ2C2 是一款由 Huayi Microelectronics Co., Ltd. 生产的单个P沟道增强型MOSFET。该产品具备强大的电气特性和可靠性,适用于多种应用场景,如开关应用、直流到直流电源管理及电池保护。HYG110P04LQ2C2 具有低导通电阻(RDS(ON)),能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS:源极至漏极电压为 -40V。
    - VGSS:栅极至源极电压为 ±20V。
    - TJ:最大结温为 -55°C 至 175°C。
    - TSTG:存储温度范围为 -55°C 至 175°C。
    - IS:源极电流(连续)为 -55A(Tc=25°C)。
    - IDM:脉冲漏极电流为 -200A(Tc=25°C)。
    - ID:连续漏极电流为 -55A(Tc=25°C),-38.8A(Tc=100°C)。
    - PD:最大功耗为 62.5W(Tc=25°C),31.2W(Tc=100°C)。
    - RθJC:结至壳热阻为 2.4°C/W。
    - RθJA:结至环境热阻为 45°C/W。
    - EAS:单次脉冲雪崩能量为 174mJ。
    电气特性
    - BVDSS:源极至漏极击穿电压为 -40V(VGS=0V, IDS=-250μA)。
    - IDSS:漏极至源极漏电流为 -1μA(VDS=-40V, VGS=0V),-50μA(TJ=125°C)。
    - VGS(th):栅极阈值电压为 -1.0V 至 -1.6V(VDS=VGS, IDS=-250μA)。
    - IGSS:栅极至源极漏电流为 ±100nA(VGS=±20V, VDS=0V)。
    - RDS(ON):源极至漏极导通电阻为 9.0mΩ(VGS=-10V, IDS=-20A),13.0mΩ(VGS=-4.5V, IDS=-20A)。
    动态特性
    - RG:栅极电阻为 4.5Ω(VGS=0V, VDS=0V, 频率=1.0MHz)。
    - Ciss:输入电容为 4468pF(VGS=0V, VDS=-25V, 频率=1.0MHz)。
    - Coss:输出电容为 253pF。
    - Crss:反向传输电容为 140pF。
    - td(ON):导通延迟时间为 10.5ns(VDD=-20V, RG=2.5Ω, IDS=-20A, VGS=-10V)。
    - Tr:导通上升时间为 48ns。
    - td(OFF):关断延迟时间为 83ns。
    - Tf:关断下降时间为 72ns。

    产品特点和优势


    HYG110P04LQ2C2 具备多项独特功能和优势:
    - 高可靠性:可承受高达 174mJ 的雪崩能量,确保在极端条件下依然稳定运行。
    - 低导通电阻:不同工作电压下的低导通电阻,有效降低损耗,提高能效。
    - 环保材料:采用无卤素材料,符合 RoHS 标准,更安全环保。
    - 广泛的适用温度范围:可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内正常工作,适用于恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    HYG110P04LQ2C2 可应用于多种场合,包括但不限于:
    - 开关应用:用于高频开关电路中,例如电源转换器。
    - 直流到直流电源管理:适用于各类直流电源的管理和调节。
    - 电池保护:提供过流保护,避免电池过充或过放。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,需注意栅极电阻的选择,以确保适当的开关时间和低功耗。
    - 确保电路设计能够有效散热,特别是在高电流应用中。

    兼容性和支持


    HYG110P04LQ2C2 采用 PDFN56-8L 封装,与标准焊接工艺兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括销售和客户服务,以及技术咨询。如有任何疑问,可联系 Huayi Microelectronics 的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断产品是否符合 RoHS 标准?
    - 解答:请查看产品手册或咨询销售代表,确认产品是否含有铅及卤素成分。

    - 问题:如果在焊接过程中发现异常,应该如何处理?
    - 解答:请参考产品手册中的焊接温度曲线进行重新焊接。如仍有问题,请联系技术支持团队寻求帮助。

    总结和推荐


    HYG110P04LQ2C2 单个P沟道增强型MOSFET凭借其高性能和稳定性,成为许多关键应用的理想选择。其优异的电气特性、低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其在市场上具有明显的优势。因此,我们强烈推荐 HYG110P04LQ2C2 在需要高效能、可靠性的电子应用中使用。

HYG110P04LQ2C2参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 10V,20A
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 76nC@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 55A
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通用封装 DFN-8

HYG110P04LQ2C2厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG110P04LQ2C2数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG110P04LQ2C2 HYG110P04LQ2C2数据手册

HYG110P04LQ2C2封装设计

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