处理中...

首页  >  产品百科  >  HYG055N10NS1P

HYG055N10NS1P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HYG055N10NS1P
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HYG055N10NS1P

HYG055N10NS1P概述

    HYG055N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HYG055N10NS1P/B 是一款由 Huayi Microelectronics Co., Ltd. 生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有高电压和大电流处理能力,适用于多种电力管理和开关应用。它的主要特点是低导通电阻(RDS(ON) = 4.3 mΩ@VGS = 10V),适用于电源管理、逆变系统和电池管理系统。此外,它还具备100% 雪崩测试和卤素无铅设计,符合 RoHS 标准。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):100V
    - 连续漏极电流 (ID):130A @ 25°C, 91.8A @ 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):390A @ 25°C
    - 最大耗散功率 (PD):187.5W @ 25°C, 93.7W @ 100°C
    - 热阻 (RθJC):0.8°C/W
    - 热阻 (RθJA):62.5°C/W
    - 击穿电压 (BVDSS):100V @ 25°C
    - 栅源漏电流 (IDSS):1μA @ 25°C, 50μA @ 125°C
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2V ~ 4V @ 25°C
    - 反向恢复时间 (trr):58ns @ 50A
    - 反向恢复电荷 (Qrr):101nC @ 50A
    - 输入电容 (Ciss):4148pF @ 25V
    - 输出电容 (Coss):1468pF
    - 反向传输电容 (Crss):165pF
    - 栅总电荷 (Qg):82nC @ 80V
    - 栅电荷 (Qgs/Qgd):24nC/26nC

    产品特点和优势


    HYG055N10NS1P/B 具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:RDS(ON) = 4.3 mΩ @ VGS = 10V,大大降低了功耗,提高了效率。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试确保了其在极端条件下的稳定性。
    - 环保设计:符合 RoHS 标准,卤素无铅设计,满足环保要求。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 175°C 的存储和工作温度范围使其适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    HYG055N10NS1P/B 主要应用于以下领域:
    - 开关应用:如高频开关电源、DC-DC 转换器等。
    - 电源管理:如逆变系统、电池管理系统等。
    - 功率管理:如电机驱动、焊接设备等。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其高电流和功率处理能力,需要有效的散热措施,如使用大尺寸散热片或热管。
    - 驱动电路设计:合理选择栅极电阻(RG)以优化开关时间和减少开关损耗。
    - PCB 布局:注意 PCB 布局,尤其是电源走线和地线布局,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    HYG055N10NS1P/B 提供两种封装选项:TO-220FB-3L 和 TO-263-2L。这些封装均适用于标准表面贴装工艺。Huayi Microelectronics 提供详尽的技术支持和客户服务,包括邮件技术支持(technology@hymexa.com)和销售支持(sales@hymexa.com)。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何选择合适的栅极电阻 (RG)?
    - 解决方案:根据应用需求和系统工作频率选择合适的栅极电阻,通常通过实验来确定最佳值。
    问题 2:如何有效管理散热?
    - 解决方案:使用高效散热片或热管,确保良好的接触面,并考虑使用导热膏提高热传导效果。
    问题 3:如何避免寄生电感和电容的影响?
    - 解决方案:优化 PCB 布局,缩短电源走线长度,增加去耦电容,减少长走线带来的寄生电感和电容影响。

    总结和推荐


    HYG055N10NS1P/B 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,广泛适用于各类电力管理和开关应用。其低导通电阻、高可靠性及环保设计使其在市场上具备显著竞争优势。对于需要高效、稳定电力转换的应用场合,HYG055N10NS1P/B 是一个理想的选择。
    综上所述,我们强烈推荐 HYG055N10NS1P/B 用于需要高性能和高可靠性的电力管理和开关应用中。

HYG055N10NS1P参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220FB-3L

HYG055N10NS1P厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HYG055N10NS1P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HYG055N10NS1P HYG055N10NS1P数据手册

HYG055N10NS1P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 10000
起订量: 1000 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336