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HY1515D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: HY1515D DPAK
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HY1515D

HY1515D概述

    # HY1515D N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HY1515D 是一款由 Huayi Microelectronics 生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道功率场效应晶体管)。这款器件以其高可靠性和坚固耐用的特点受到关注。HY1515D 具备出色的电气特性和广泛的工作环境范围,特别适用于电源开关应用和不间断电源系统(Uninterruptible Power Supply)等关键领域。

    技术参数


    基本参数
    - 最高电压: VDSS = 150V
    - 最大栅极电压: VGSS = ±20V
    - 最高结温: TJ = 175°C
    - 存储温度范围: TSTG = -55°C 至 175°C
    - 连续源电流: IS = 40A
    - 脉冲漏电流: IDM = 140A
    - 连续漏电流: ID = 40A (Tc=25°C), 28.3A (Tc=100°C)
    - 最大功耗: PD = 93W (Tc=25°C), 46W (Tc=100°C)
    - 热阻: RθJC = 1.6°C/W, RθJA = 110°C/W
    - 单次脉冲雪崩能量: EAS = 283.5mJ
    静态特性
    - 漏源击穿电压: BVDSS = 150V
    - 漏源漏电电流: IDSS = 1.0μA (VDS=150V, VGS=0V)
    - 栅阈值电压: VGS(th) = 3.0V (Min), 3.8V (Typ), 5.0V (Max)
    - 栅源漏电电流: IGSS = ±100nA (VGS=±20V, VDS=0V)
    - 导通电阻: RDS(ON) = 29mΩ (Typ) (VGS=10V, IDS=20A)
    二极管特性
    - 正向电压降: VSD = 0.83V (Min), 1.3V (Max) (ISD=20A, VGS=0V)
    - 反向恢复时间: trr = 48ns
    - 反向恢复电荷: Qrr = 78nC
    动态特性
    - 输入电容: Ciss = 2447pF (VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz)
    - 输出电容: Coss = 153pF
    - 转移电容: Crss = 41pF
    - 开启延迟时间: td(ON) = 28ns
    - 关断延迟时间: td(OFF) = 95ns
    门极电荷特性
    - 总门极电荷: Qg = 56nC (VDS=100V, VGS=10V, IDS=20A)
    - 栅源电荷: Qgs = 12nC
    - 栅漏电荷: Qgd = 18nC

    产品特点和优势


    HY1515D MOSFET 具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性: 经过100%雪崩测试,确保了其在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 低导通电阻: RDS(ON) = 29mΩ (典型值),有助于减少功率损耗,提高效率。
    - 环保材料: 无卤素,符合RoHS标准,满足绿色生产要求。
    - 多功能适用性: 适用于广泛的电力转换应用,如不间断电源和电动机控制等。

    应用案例和使用建议


    HY1515D MOSFET 在多种工业和消费电子设备中得到了广泛应用,例如:
    - 电源开关: 由于其出色的性能和耐压能力,适合用于各类电源转换电路。
    - 不间断电源: 其高可靠性确保了系统在突发状况下能够持续供电。
    使用建议:
    - 确保正确安装散热片,以帮助散热,防止因过热导致的损坏。
    - 在电路设计中考虑适当的布局和走线,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    HY1515D 封装形式为 TO-252-2L,与市场上常见的 TO-252 系列器件兼容。此外,Huayi Microelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户可以顺利使用和维护该产品。
    客户服务
    - 全球销售与支持: sales@hymexa.com
    - 技术支持: technology@hymexa.com

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品是否有卤素?
    - HY1515D 采用无卤素材料,符合RoHS标准。
    2. 如何进行焊接?
    - 按照供应商提供的焊接工艺参数进行操作。
    解决方案
    1. 若发现导通电阻偏大
    - 检查门极电压是否达到额定值,确保接线无误且没有腐蚀。
    2. 在高电流条件下发热严重
    - 确认是否安装了足够的散热措施,适当降低工作电流以减少发热量。

    总结和推荐


    HY1515D N-Channel Enhancement Mode MOSFET 在技术参数和性能方面表现出色,特别是在高可靠性和低导通电阻方面具备明显的优势。其适用于多种电力转换和电源管理应用。我们强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高性能、高可靠性的电力电子产品中。
    更多详细信息,请访问官方网站:[HYMEXA官网](http://www.hymexa.com)。

HY1515D参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252-2L

HY1515D厂商介绍

HUAYI公司是一家专注于研发和生产高科技产品的企业,其主营产品涵盖了多个领域,包括但不限于:

1. 电子产品:涉及智能设备、消费电子等,应用于日常生活和专业领域。
2. 机械设备:包括工业自动化设备、精密仪器等,服务于制造业和科研。
3. 化工产品:提供各种化学原料和制剂,应用于建筑、纺织等多个行业。
4. 环保技术:开发和提供环保解决方案,如废物处理和能源回收技术。

HUAYI公司的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品性能稳定可靠。
- 客户服务:提供定制化解决方案,快速响应客户需求。
- 全球网络:拥有广泛的国际合作伙伴和销售网络,产品远销世界各地。

HUAYI公司致力于通过不断的技术创新和优质服务,为客户创造价值,推动行业进步。

HY1515D数据手册

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HUAYI/西安华羿微电子 场效应管(MOSFET) HUAYI/西安华羿微电子 HY1515D HY1515D数据手册

HY1515D封装设计

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