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MDD2N65D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 2A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):2.0A,RDS(on)(DS导通内阻):4.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
供应商型号: MDD2N65D TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
MDD/辰达半导体 场效应管(MOSFET) MDD2N65D

MDD2N65D参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2Ω@10V,1A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 10.2nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-252

MDD2N65D厂商介绍

深圳辰达半导体有限公司 https://www.microdiode.com (简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

MDD2N65D数据手册

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MDD/辰达半导体 场效应管(MOSFET) MDD/辰达半导体 MDD2N65D MDD2N65D数据手册

MDD2N65D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.3672
5000+ ¥ 0.3611
7500+ ¥ 0.3519
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