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G050P03K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 100W(Tc) 2.5V@ 250µA 111nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4mΩ@ 20A,10V 7.533nF@15V TO-252 贴片安装
供应商型号: G050P03K TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G050P03K

G050P03K概述

    # G050P03K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    G050P03K 是一款由 GoFord Semiconductor 提供的 P-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种晶体管采用先进的沟槽技术制造,具备出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg),适用于各种不同的应用场合。
    主要功能
    - 高耐压:Drain-Source电压(VDS)为-30V。
    - 大电流能力:连续漏极电流(ID)高达-85A。
    - 良好的热性能:具有较低的热阻(RthJA)和最大结壳热阻(RthJC)。
    - RoHS 合规。
    应用领域
    - 电源开关
    - DC/DC转换器

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -85 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | -340 | - | - | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 100 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 225 | mJ |
    | 最高结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    特点
    1. 高温稳定性能:工作结温和存储温度范围为-55°C至150°C。
    2. 低栅极电荷:典型的栅极电荷为111nC。
    3. 低导通电阻:在-10V栅源电压下,导通电阻小于4mΩ;在-4.5V栅源电压下,导通电阻小于5.5mΩ。
    优势
    - 高效率:由于具有较低的导通电阻,减少了功耗和发热,从而提高了电路的整体效率。
    - 高可靠性:通过100%的雪崩测试验证。
    - 广泛的应用场景:适用于多种电路设计,如电源管理和DC/DC转换器。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在一个DC/DC转换器的设计中,G050P03K 可以作为主开关管,以实现高效的电源转换。
    - 在电机驱动应用中,它可以用来控制高电流的流动,确保电路的稳定运行。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应考虑适当的散热措施,以避免过高的温度导致损坏。
    - 在选择驱动电路时,应确保其能够提供足够的栅极电压来快速开通和关断MOSFET。

    兼容性和支持


    兼容性
    G050P03K 可与其他标准的 P-Channel MOSFET 设备互换使用,广泛兼容各种电路设计。制造商提供了详细的图纸和封装信息,便于集成到现有的设计中。
    支持
    GoFord Semiconductor 提供全面的技术支持,包括设计指南、应用笔记和样品服务。用户可以通过其官网或技术支持热线获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确测量栅源电容?
    2. 如何防止热失控?
    解决方案
    1. 使用适当的测试仪器,并遵循正确的测试步骤。
    2. 确保良好的散热设计,并在必要时添加散热片或散热器。

    总结和推荐


    综合评估
    G050P03K 以其出色的性能和广泛应用性,在众多P-Channel MOSFET产品中脱颖而出。其低导通电阻和高可靠性的特性使其成为许多电路设计的理想选择。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐 G050P03K 用于需要高效和可靠开关性能的各类电子电路设计中。

G050P03K参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 100W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 20A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 111nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.533nF@15V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

G050P03K厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G050P03K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G050P03K G050P03K数据手册

G050P03K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.5525
7500+ ¥ 1.5255
10000+ ¥ 1.485
12500+ ¥ 1.4175
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
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