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G40P03D5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 48W(Tc) 2.5V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个P沟道 30V 10mΩ@ 20A,10V 35A 2.716nF@15V 贴片安装
供应商型号: G40P03D5 DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G40P03D5

G40P03D5概述

    # G40P03D5 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    G40P03D5 是一款由Goford Semiconductor设计的P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。其主要特点包括低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷和高可靠性。该产品广泛应用于各种电力转换和开关电路中,如电源开关和DC/DC转换器。
    应用领域
    - 电源开关
    - DC/DC 转换器

    技术参数


    以下是G40P03D5的技术参数,以确保在不同工作条件下的性能表现:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 V |
    | 持续漏电流 | ID -35 A |
    | 脉冲漏电流 | IDM -140 | A |
    | 门极源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 功率耗散 | PD 48 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 90 | mJ |
    | 最大工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | ℃ |
    热阻参数
    | 参数 | 符号 | 单位 |
    |
    | 结至环境热阻 | RthJA | 55 | °C/W |
    | 结至外壳热阻 | RthJC | 2.6 | °C/W |

    产品特点和优势


    G40P03D5具备以下显著特点和优势:
    - 采用先进的沟槽技术,实现低导通电阻(RDS(ON)),尤其在低门极电压(-4.5V)下,导通电阻小于14mΩ。
    - 高耐压能力(VDS = -30V)和大额定电流(ID = -35A),适用于高电压和大电流应用。
    - 优秀的雪崩能量处理能力(EAS = 90mJ),可应对瞬态冲击。
    - 罗氏合规性,符合RoHS标准,环保无害。
    - 支持高达150℃的工作温度,确保在极端环境下可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在电源开关中作为高压负载的控制开关。
    - 用于DC/DC转换器的同步整流和降压电路。
    使用建议
    - 确保门极驱动电压不超过±20V,以避免门极击穿。
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,合理利用散热片或风扇来降低热阻。

    兼容性和支持


    兼容性
    - G40P03D5采用DFN56-8L封装,易于与其他标准电路板上的元器件进行连接。
    - 可与常见的控制芯片和保护电路集成,适用于多种应用平台。
    厂商支持
    - Goford Semiconductor 提供全面的技术支持和服务,包括产品培训和技术文档。
    - 提供样品申请和定制化需求服务,以满足客户特定的设计要求。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决办法
    1. 问:G40P03D5的最高工作温度是多少?
    - 答: 最高工作温度为150℃。

    2. 问:如何改善G40P03D5的散热效果?
    - 答: 增加散热片面积或使用主动冷却方法,如风扇,可以有效降低器件温度。

    3. 问:G40P03D5的雪崩能量等级如何?
    - 答: 雪崩能量等级为90mJ,可应对一定的瞬态过压冲击。

    总结和推荐


    综合评估
    G40P03D5是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,具备低导通电阻、高耐压能力和优秀的热稳定性。在电力转换和开关电路中表现出色,特别适合于高电压和大电流的应用场景。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐在电源开关和DC/DC转换器中使用G40P03D5。对于需要高效能和稳定性的设计师来说,这是一个不可多得的选择。

G40P03D5参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.716nF@15V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 48W(Tc)
栅极电荷 50nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 20A,10V
Id-连续漏极电流 35A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

G40P03D5厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G40P03D5数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G40P03D5 G40P03D5数据手册

G40P03D5封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.782
15000+ ¥ 0.7684
20000+ ¥ 0.748
25000+ ¥ 0.714
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