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GT025N06AD5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 215W(Tc) 2.5V@ 250µA 81nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2.2mΩ@ 20A,10V 170A 5.044nF@30V 贴片安装
供应商型号: GT025N06AD5 DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT025N06AD5

GT025N06AD5概述

    # GT025N06AD5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    GT025N06AD5 是一款来自 GoFord Semiconductor 的高性能 N-Channel 增强模式功率 MOSFET。该产品采用先进的沟槽技术,旨在提供卓越的导通电阻 \(R{DS(on)}\) 和低栅极电荷。GT025N06AD5 可应用于广泛的电力转换和控制领域,如电源开关、DC/DC 转换器等。

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | \(V{DS}\) | 60 | V |
    | 连续漏极电流 | \(ID\) | 170 | A |
    | 脉冲漏极电流(注1) | \(I{DM}\) | 680 | A |
    | 栅源电压 | \(V{GS}\) | ±20 | V |
    | 功率耗散 | \(PD\) | 215 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | \(E{AS}\) | 420 | mJ |
    工作环境
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 工作结温和存储温度范围 | \(TJ, T{stg}\)| -55 到 150 | °C |
    热阻
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结到环境热阻 | \(R{thJA}\) | 50 | °C/W |
    | 最大结到壳体热阻 | \(R{thJC}\) | 0.58 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:在 \(V{GS} = 10V\) 下,\(R{DS(on)} < 2.2 \Omega\);在 \(V{GS} = 4.5V\) 下,\(R{DS(on)} < 2.8 \Omega\)。这种低 \(R{DS(on)}\) 特性使得其在高电流应用中表现出色。
    2. 高速开关:通过优化的栅极电荷(典型值为 81 nC),能够实现快速的开关速度。
    3. 高可靠性:经过 100% 雪崩测试,确保在高瞬态条件下具备良好的可靠性。
    4. RoHS 合规:符合环保要求,适用于对环保有严格要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关:适用于需要快速开关和低导通电阻的应用。
    - DC/DC 转换器:在高效的 DC/DC 转换器中作为关键部件使用。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动电阻时,需考虑总栅极电荷和开关时间,以确保快速且稳定的开关过程。
    - 对于高电流应用,应特别注意散热设计,避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 封装信息:采用 DFN56-8L 封装形式,便于集成到现有的 PCB 设计中。
    - 厂商支持:GoFord Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,包括全面的电气特性和应用指南。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何优化热管理?
    解决方案:建议使用较大的散热片或散热器,并采用有效的 PCB 布局来增强散热效果。可以参考制造商提供的热阻参数来计算合适的散热方案。
    问题2:如何提高开关速度?
    解决方案:降低栅极电阻值,优化栅极驱动电路,减少总的栅极电荷量。具体数值需根据实际应用进行调试和测试。

    总结和推荐


    总体而言,GT025N06AD5 MOSFET 在性能上表现优异,具有出色的导通电阻和高速开关能力,适用于多种电力转换和控制应用。考虑到其优越的性能和可靠性,我们强烈推荐这款产品给需要高性能功率 MOSFET 的工程师和设计师。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源开关和 DC/DC 转换器应用中具有显著的优势。建议在设计过程中充分考虑其技术参数和应用指南,以实现最佳性能。

GT025N06AD5参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 170A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.044nF@30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 215W(Tc)
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2mΩ@ 20A,10V
栅极电荷 81nC@ 10 V
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

GT025N06AD5厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT025N06AD5数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT025N06AD5 GT025N06AD5数据手册

GT025N06AD5封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 2.76
15000+ ¥ 2.712
20000+ ¥ 2.64
25000+ ¥ 2.52
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型号 价格(含增值税)
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