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G2K8P15S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 277mΩ SOP-8
供应商型号: G2K8P15S SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G2K8P15S

G2K8P15S概述

    # 产品技术手册:G2K8P15S P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    G2K8P15S是一款由Goford Semiconductor公司生产的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET。它采用先进的沟槽技术,提供了出色的导通电阻 \( R{DS(ON)} \) 和低栅极电荷,适用于广泛的电力开关应用。此产品符合RoHS标准,确保无铅化生产和环保要求。
    主要功能:
    - 高耐压 \( V{DS} = -150V \)
    - 大连续漏电流 \( ID = -2.2A \)
    - 极低的导通电阻 \( R{DS(ON)} \)
    - 支持脉冲漏电流 \( I{DM} \)
    - 具备单脉冲雪崩测试
    应用领域:
    - 功率开关
    - 直流/直流转换器
    - 其他需要高可靠性和高效率的电力电子系统

    2. 技术参数


    以下是G2K8P15S的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | \( V{DS} \) | -150 | V |
    | 持续漏电流 | \( ID \) | -2.2 | A |
    | 脉冲漏电流(注意1) | \( I{DM} \) | -8.8 | A |
    | 栅源电压 | \( V{GS} \) | ±20 | V |
    | 功率耗散 | \( PD \) | 2.5 | W |
    | 单脉冲雪崩能量(注意2) | \( E{AS} \) | 25 | mJ |
    | 最大结温和存储温度范围 | \( T{J}, T{STG} \) | -55 至 150 | °C |
    热阻参数
    - 热阻,结到环境 \( R{thJA} \) | 50 | °C/W |
    静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V(BR)DSS \) | \( V{GS} = 0V, ID = -250\mu A \) | -150 | V |
    - 零栅源漏电流 \( I{DSS} \) | \( V{DS} = -150V, V{GS} = 0V \) -1 | μA |
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \) | \( V{GS} = ±20V \) ±100 | nA |
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \) | \( V{DS} = V{GS}, ID = -250\mu A \) | -1 | -2.2 | -3.5 | V |
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \) | \( V{GS} = -10V, ID = -0.5A \) 277 | 310 | mΩ |
    动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \) | \( V{GS} = 0V, V{DS} = -75V, f = 1.0MHz \) 966 |
    - 输出电容 \( C{oss} \) 39 | pF |
    - 反向转移电容 \( C{rss} \) 24 |
    - 总栅极电荷 \( Qg \) | \( V{DD} = -75V, ID = -0.5A, V{GS} = -10V \) 11 |
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \) 3.2 | nC |
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \) 1.9 |
    漏源体二极管特性
    - 连续体二极管电流 \( IS \) | \( TC = 25ºC \) -2.2 | A |
    - 体二极管电压 \( V{SD} \) | \( TJ = 25ºC, I{SD} = -0.5A, V{GS} = 0V \) -1.2 | V |
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \) | \( IF = -0.5A, V{GS} = 0V \) | di/dt=-100A/us 157 | nC |
    - 反向恢复时间 \( T{rr} \) 65 | ns |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 \( R{DS(ON)} \)。
    - 低栅极电荷,降低开关损耗。
    - 100% 雪崩测试,确保高度可靠性。
    - 符合RoHS标准,环保无铅。
    市场竞争力:
    - 高耐压能力和大漏电流使其适用于各种高压、大功率的应用。
    - 出色的热性能保证了长时间稳定运行。
    - 高可靠性使得G2K8P15S在电力电子系统中具有很高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在直流/直流转换器中作为开关元件。
    - 在电动汽车充电系统中作为保护和控制组件。
    使用建议:
    - 根据具体应用需求选择合适的驱动电路设计,确保栅极信号的波形满足MOSFET的开关速度要求。
    - 注意散热设计,尤其是在高功率应用中,以避免过热导致的失效。
    - 在设计过程中,考虑并验证系统中的反向恢复时间 \( T{rr} \),以确保系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - G2K8P15S的SOP-8封装设计使其易于与其他电子元器件兼容。
    - 产品支持各种常见的焊接工艺和PCB布局。
    支持:
    - Goford Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 如有疑问或需要进一步技术支持,可通过技术热线或邮件咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:产品过热导致性能下降
    解决方法:
    - 检查散热设计,确保足够的散热措施,如增加散热片或风扇。
    - 使用更低的栅极电压减少功耗,从而降低发热。
    问题2:开关频率不稳定
    解决方法:
    - 优化栅极驱动电路设计,确保稳定的栅极信号。
    - 确认电路板布局合理,减少寄生电感的影响。
    问题3:系统噪声较大
    解决方法:
    - 使用屏蔽线缆和滤波器减少电磁干扰。
    - 确保良好的接地设计,减少噪声耦合。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - G2K8P15S是一款高性能的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,适用于多种电力电子应用。
    - 出色的导通电阻和低栅极电荷使得其在高效率和高性能应用中表现优异。
    - 环保材料的使用以及详尽的技术支持使这款产品在市场上具备很强的竞争力。
    推荐使用:
    - G2K8P15S强烈推荐用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统中。其独特的设计和技术参数使其成为该领域的理想选择。

G2K8P15S参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 277mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
包装方式 卷带包装

G2K8P15S厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G2K8P15S数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G2K8P15S G2K8P15S数据手册

G2K8P15S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 1.243
10000+ ¥ 1.21
12500+ ¥ 1.155
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