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GT10N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 4.3nC@ 10V 115mΩ 7A TO-252-2
供应商型号: GT10N10 TO-252-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT10N10

GT10N10概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    GT10N10是一款由Goford Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的沟槽技术设计,提供极低的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,适用于多种应用场合,包括电源开关和DC/DC转换器等。

    技术参数


    以下为GT10N10的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 100 V |
    | 持续漏极电流 | ID | 7 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 21 A |
    | 门源电压 | VGS | ±20 V |
    | 功耗 | PD | 17 W |
    | 结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 热阻抗 | RthJA | 50 °C/W |
    | 最大结到外壳热阻 | RthJC | 7.4 °C/W |

    产品特点和优势


    GT10N10具有以下独特功能和优势:
    - 采用先进沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON)),典型值小于140 mΩ(VGS=10V),并具有低门极电荷,可提高效率和开关速度。
    - 支持重复开关操作,最高漏源电压可达100V,门源电压±20V。
    - 100%雪崩测试通过,确保可靠性。
    - 罗马尼亚合格认证(RoHS Compliant)。

    应用案例和使用建议


    GT10N10常用于开关电源和DC/DC转换器,尤其是在需要高效能、高频率开关的应用中。为了优化其性能,建议在高温环境下使用时保持散热良好,确保不超过最大额定值,并适当控制脉冲电流和持续电流的大小。

    兼容性和支持


    GT10N10采用TO-252封装,便于安装和替换。与大多数标准电源模块和驱动电路兼容,Goford Semiconductor提供相应的技术支持和售后服务,以帮助客户解决问题并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装GT10N10?
    - 解决方法: 请按照制造商提供的安装指南进行操作,确保正确的焊接和固定方式,以避免热应力引起的损坏。
    2. 问题:如何判断GT10N10是否损坏?
    - 解决方法: 使用万用表测量门源电压和漏源电压,如果电压异常或没有响应,则可能已损坏。
    3. 问题:如何优化热管理?
    - 解决方法: 采用高效的散热片或散热器,并确保良好的空气流通,以减少结温上升导致的性能下降。

    总结和推荐


    GT10N10以其优秀的导通电阻、低门极电荷及高可靠性的特点,在多个应用场景中表现出色。结合Goford Semiconductor提供的完善支持和优良服务,推荐在电源开关和DC/DC转换器中选用GT10N10。

GT10N10参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 4.3nC@ 10V
通用封装 TO-252-2

GT10N10厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT10N10数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT10N10 GT10N10数据手册

GT10N10封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.46
7500+ ¥ 0.452
12500+ ¥ 0.44
25000+ ¥ 0.42
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起订量: 2500 增量: 2500
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