处理中...

首页  >  产品百科  >  G33N03D52

G33N03D52

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 17.5nC@ 10V 13mΩ@ 16A,10V 33A
供应商型号: G33N03D52 DFN-8L(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G33N03D52

G33N03D52概述


    产品简介


    G33N03D52 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
    G33N03D52 是一款采用先进沟槽技术制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有出色的 RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。它广泛应用于电源开关、直流/直流转换器等领域。由于其高效能和可靠性,这款 MOSFET 在多个行业有着广泛应用。

    技术参数


    以下是 G33N03D52 的技术规格、性能参数及工作环境的相关信息:
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 33 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 132 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 29 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 42 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | °C |
    热阻抗
    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 结至环境热阻抗 | RthJA | 60 | °C/W |
    | 最大结至外壳热阻抗 | RthJC | 4.2 | °C/W |

    产品特点和优势


    G33N03D52 的特点如下:
    - 高性能 RDS(ON),VGS = 10V 时为 <13mΩ,VGS = 4.5V 时为 <30mΩ。
    - 采用先进的沟槽技术,提供卓越的性能。
    - 高雪崩耐受能力,确保在恶劣环境下稳定工作。
    - 符合 RoHS 规范,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    G33N03D52 适用于多种应用场景,如电源开关和直流/直流转换器。具体使用时应注意以下几点:
    - 电源开关:在设计电源开关电路时,考虑到其高漏极电流和雪崩耐受能力,可以确保系统的可靠运行。
    - 直流/直流转换器:由于其低 RDS(ON),适合在高频场合下使用,提高效率并减少功耗。
    建议:在应用过程中,要注意散热设计以防止过热,确保系统正常工作。

    兼容性和支持


    G33N03D52 与市场上常见的其他电子元器件具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。GoFord Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速了解并有效使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在使用过程中发现温度过高。
    - 解决方法:检查散热设计,增加散热片或者使用风扇加强散热。

    2. 问题:输出电流不足。
    - 解决方法:确保输入电压满足要求,重新检查电路连接,确认无误后再进行调试。

    3. 问题:电路出现不稳定现象。
    - 解决方法:确保接地良好,避免电磁干扰,必要时可加装滤波器。

    总结和推荐


    总体来看,G33N03D52 在高性能和可靠性方面表现出色,特别适用于需要高电流和低功耗的应用场合。对于寻求高品质 MOSFET 的工程师来说,G33N03D52 是一个理想的选择。综上所述,我们强烈推荐使用 G33N03D52 在各种电力电子应用中。

G33N03D52参数

参数
栅极电荷 17.5nC@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 33A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 16A,10V
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

G33N03D52厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G33N03D52数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G33N03D52 G33N03D52数据手册

G33N03D52封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.69
15000+ ¥ 0.678
20000+ ¥ 0.66
25000+ ¥ 0.63
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 3450
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336