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G70N04T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 50nC@ 10V 6mΩ 70A TO-220
供应商型号: G70N04T TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G70N04T

G70N04T概述

    # G70N04T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    G70N04T 是一款由 GoFord Semiconductor 生产的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。它采用先进的沟槽技术制造,提供了出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。G70N04T 广泛应用于电源开关和直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    以下是 G70N04T 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 40 | V |
    | 连续漏电流 | ID | 70 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 280 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 104 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 56 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to 150 | °C |
    | 热阻 | RthJA | 15 | °C/W |
    | 最大结壳热阻 | RthJC | 1.2 | °C/W |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V |
    | 零栅源电压漏电流 | IDSS | VDS = 40V, VGS = 0V 1 | μA |
    | 栅源漏电流 | IGSS | VGS = ±20V ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250μA | 1.1 to 2.4 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10V, ID = 30A | < 7 | mΩ |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 4.5V, ID = 20A | < 9 | mΩ |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 值 | 单位 |

    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0V, VDS = 20V, f = 1.0MHz | 2169 | pF |
    | 输出电容 | Coss 179 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss 159
    | 总栅极电荷 | Qg | VDD = 20V, ID = 30A, VGS = 10V | 50 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs 12 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 13

    产品特点和优势


    G70N04T 的主要特点和优势如下:
    1. 低导通电阻 (RDS(ON)): 在不同栅源电压下的导通电阻非常低,使得其在高电流应用中表现出色。
    2. 高连续漏电流 (ID): 支持高达 70A 的连续漏电流,适用于需要高电流的应用。
    3. 先进沟槽技术: 采用先进的沟槽技术,提供卓越的性能和可靠性。
    4. 低栅极电荷: 降低功耗,提高效率。
    5. 符合RoHS标准: 环保无铅设计,满足国际环保要求。

    应用案例和使用建议


    G70N04T 主要应用于以下场景:
    - 电源开关: 在电力电子系统中作为开关使用,能够快速开启和关闭高电流。
    - 直流/直流转换器: 用于高效的直流到直流转换,特别是在高功率应用中。
    使用建议
    1. 散热管理: 由于其高功耗,确保使用合适的散热片或散热器,以避免过热。
    2. 栅极驱动电路: 为了减少损耗,建议使用低电阻栅极驱动器。
    3. 封装注意事项: 尽管G70N04T采用TO-220封装,但在高温环境下使用时需注意确保良好的散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性: G70N04T 与常见的栅极驱动器和负载具有良好的兼容性。
    - 支持和服务: GoFord Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 加强散热措施,如使用散热片或风扇。 |
    | 无法正常启动 | 检查栅极驱动电压是否正确,确认没有短路。|
    | 功耗过高 | 减少负载电流,检查是否有额外的功耗源。|

    总结和推荐


    总体而言,G70N04T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品。其低导通电阻、高连续漏电流以及出色的热性能使其成为各种高电流应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品给寻求高效能、稳定可靠电子元器件的工程师和设计师们。
    如果您有任何疑问或需要技术支持,请联系 GoFord Semiconductor 的客服团队,他们将为您提供专业的帮助和支持。

G70N04T参数

参数
栅极电荷 50nC@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 TO-220
零件状态 在售
包装方式 管装

G70N04T厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G70N04T数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G70N04T G70N04T数据手册

G70N04T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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150+ ¥ 0.904
250+ ¥ 0.88
12500+ ¥ 0.84
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