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G16P03D3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 55W(Tc) 2.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个P沟道 30V 12mΩ@ 10A,10V 16A 2.805nF@15V 贴片安装
供应商型号: G16P03D3 PDFN-8(3X3.1)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G16P03D3

G16P03D3概述

    # G16P03D3 P-Channel Trench MOSFET 技术手册

    产品简介


    G16P03D3 是一款采用先进沟槽技术制造的P沟道MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的优点。它广泛应用于功率开关、DC/DC转换器等领域。由Goford Semiconductor(固特华半导体)生产,其官网为 www.gofordsemi.com,客户服务热线为 0755-29961263。

    技术参数


    以下是G16P03D3的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | -30 V |
    | 持续漏电流 | ID | -16 A |
    | 脉冲漏电流(注1) | IDM | -64 A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 功率耗散 | PD 3 | W |
    | 单脉冲雪崩能量(注3) | EAS 116 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg| -55 150 | ℃ |
    | 热阻(结到环境) | RthJA 41 | ℃/W |
    静态参数:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = -250µA | -30 V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | VDS = -30V, VGS = 0V -1 | A |
    | 栅源泄漏 | IGSS | VGS = ±20V ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = -250µA | -1 | -1.5 | -2.5 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = -10V, ID = -10A 8.5 | 12 | mΩ |
    | 正向跨导 | gFS | VDS=-15V,ID=-3A 42 S |
    动态参数:
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0V, VDS = -15V, f = 1.0MHz 1995 pF |
    | 输出电容 | Coss 300 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 260
    | 总栅极电荷 | Qg | VDD = -15V, ID = -10A, VGS = -10V 35
    | 栅源电荷 | Qgs 5.7 nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD = -15V, ID = -10A, RG = 1Ω 11 ns |
    | 开启上升时间 | tr 7.5
    | 关闭延迟时间 | td(off) 43.5
    | 关闭下降时间 | tf 17.5

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:确保低导通电阻和高可靠性。
    - 低栅极电荷:降低开关损耗,提高能效。
    - 出色的RDS(ON):在多种电压和电流条件下表现出色。
    - 100%雪崩测试:确保在极端工作环境下依然稳定可靠。
    - 符合RoHS标准:环保材料,适用于对环保要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源开关:用于DC/DC转换器中的电源开关,提供高效稳定的开关控制。
    - DC/DC转换器:用于各类直流到直流的电压转换器,满足不同负载需求。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动器时,注意栅极电荷的影响,选择合适的驱动电阻,以避免开关速度过快导致EMI问题。
    - 在设计电路时,确保散热良好,防止因热阻过高导致芯片损坏。
    - 对于高温工作环境,建议进行额外的热管理措施,如使用散热片或风扇来提升散热效果。

    兼容性和支持


    G16P03D3 封装为DFN3X3-8L,便于安装和焊接。目前没有明确的与其他元器件的兼容性说明,但在标准电路板上通常可以轻松实现互换。Goford Semiconductor提供全面的产品技术支持,包括应用指南、样本和样品服务。如有任何问题,可以通过其官网或客户服务热线联系厂家获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查电路中的电容值是否正确,确保栅极驱动信号质量。 |
    | 温度过高 | 改善散热系统,如增加散热片或使用强制风冷。 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查电路是否接错管脚,确保栅极电压达到规定值。 |

    总结和推荐


    G16P03D3是一款高性能的P沟道MOSFET,凭借其先进的技术特性,适用于多种电力电子应用。其优秀的低导通电阻和低栅极电荷,使其在效率和可靠性方面表现卓越。尽管售

G16P03D3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10A,10V
配置 -
最大功率耗散 55W(Tc)
通道数量 -
Id-连续漏极电流 16A
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.805nF@15V
栅极电荷 35nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

G16P03D3厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G16P03D3数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G16P03D3 G16P03D3数据手册

G16P03D3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.575
15000+ ¥ 0.565
20000+ ¥ 0.55
25000+ ¥ 0.525
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