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G15N10C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 55W(Tc) 3V@ 250µA 22nC@ 10 V 1个N沟道 100V 90mΩ@ 8A,10V 15A 1.167nF@50V TO-252 贴片安装
供应商型号: G15N10C TO-252-2
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G15N10C

G15N10C概述

    # G15N10C N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    G15N10C 是一款由广州高福达半导体有限公司生产的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。这款电子元器件主要用于电源开关和直流/交流转换器等应用。其先进的沟槽技术为用户提供低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷的优势。
    应用领域
    - 电源开关:适用于需要高效率和快速开关速度的电源系统。
    - DC/DC 转换器:提供高效率和可靠性的直流电源转换。

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |

    | 漏-源电压 | VDS | 100 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 22 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 88 | A |
    | 门-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 55 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 13 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 150 | °C |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏-源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250µA 100 | V |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | VDS = 100V, VGS = 0V 1μA
    | 门-源泄漏电流 | IGSS | VGS = ±20V ±100 | nA |
    | 门-源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250µA | 1 | 2 | 3 | V |
    | 漏-源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 10V, ID = 8A 78 | 90 | mΩ |
    | 漏-源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 4.5V, ID = 6A 85 | 100 | mΩ |
    | 前向跨导 | gFS | VGS = 5V, ID = 8A 10 S |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0V, VDS = 50V, f = 1.0MHz 1167 pF |
    | 输出电容 | Coss 34 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 30 pF |
    | 总门极电荷 | Qg | VDD = 50V, ID = 8A, VGS = 10V 22 nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD = 50V, ID = 8A, RG = 3Ω 15 ns |
    | 开启上升时间 | tr 5 ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) 25 ns |
    | 关闭下降时间 | tf 7 ns |

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 先进的沟槽技术:提供低导通电阻(RDS(ON)),典型值为 78 mΩ(在 VGS = 10V, ID = 8A 时)。
    2. 低门极电荷:Qg 的典型值仅为 22 nC,这有助于提高开关性能。
    3. 高可靠性:100% 雪崩测试,确保产品在极端条件下的稳定性。
    4. 符合 RoHS 标准:环保材料,适用于现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 电源开关:例如用于电动工具或数据中心的电源管理。
    - DC/DC 转换器:应用于电信设备中的高效电源模块。
    使用建议
    1. 热设计:考虑散热问题,尤其是在高电流应用中。建议使用有效的散热片和散热策略。
    2. 输入/输出电容:适当选择输入和输出电容,以减少开关损耗并保持稳定的输出电压。

    兼容性和支持


    兼容性
    G15N10C 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电路板和电源管理系统集成。
    支持和维护
    广州高福达半导体有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障诊断和技术培训等服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:门-源电压超过最大限制会导致什么后果?
    解决办法:确保 VGS 不超过 ±20V 的限制。若超过该限制,可能导致 MOSFET 损坏。建议使用适当的保护电路或外部驱动器来防止过压。
    问题2:在高温环境下,功率耗散增加怎么办?
    解决办法:确保良好的散热措施。例如,使用较大的散热片或改进 PCB 设计,以增加散热面积。

    总结和推荐


    综合评估
    G15N10C 功率 MOSFET 在性能上表现出色,具有低导通电阻和低门极电荷,适合在高效率电源管理和开关应用中使用。其先进的沟槽技术和良好的散热能力使其成为一种可靠且高性能的选择。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐 G15N10C 功率 MOSFET 在各种高效率电源转换和控制应用中使用。无论是电动工具还是数据中心,它都能提供卓越的表现和可靠性。

G15N10C参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 8A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 55W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 15A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.167nF@50V
栅极电荷 22nC@ 10 V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

G15N10C厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G15N10C数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G15N10C G15N10C数据手册

G15N10C封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.7475
7500+ ¥ 0.7345
12500+ ¥ 0.715
17500+ ¥ 0.6825
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起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
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