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GT090N06D52

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.4V@ 250µA 24nC@ 10V 2个N沟道 60V 9mΩ@ 14A,10V 1.62nF@30V 贴片安装
供应商型号: GT090N06D52 DFN(5X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT090N06D52

GT090N06D52概述


    产品简介


    GOFORD GT090N06D52 是一款高性能的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg)。该器件适用于多种应用,包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、不间断电源(UPS)、电机控制、电池管理系统(BMS)以及高频电路。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 连续漏电流 \( ID \): 40 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 140 A
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 功耗 \( PD \): 62 W
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 20 mJ
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 65 °C/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 2 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 60 V
    - 零栅源电压漏电流 \( I{DSS} \): ≤ 1 μA
    - 栅源泄漏 \( I{GSS} \): ≤ ±100 nA
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V ~ 3.0 V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 时 \( ID = 14A \): ≤ 10 mΩ
    - 在 \( V{GS} = 4.5V \) 时 \( ID = 10A \): ≤ 12 mΩ
    - 前向跨导 \( g{FS} \): 26 S
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): ≤ 1620 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): ≤ 415 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): ≤ 3 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): ≤ 24 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): ≤ 5 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): ≤ 3 nC
    - 开启延时时间 \( td(on) \): ≤ 9 ns
    - 开启上升时间 \( tr \): ≤ 4 ns
    - 关断延时时间 \( td(off) \): ≤ 29 ns
    - 关断下降时间 \( tf \): ≤ 4 ns
    - 体二极管特性:
    - 连续体二极管电流 \( IS \): ≤ 12 A
    - 体二极管电压 \( V{SD} \): ≤ 1.2 V

    产品特点和优势


    - 高效率:低导通电阻(RDS(ON))降低了功耗,提高了整体系统的效率。
    - 快速开关性能:低栅极电荷和优秀的开关时间使其适合高频应用。
    - 鲁棒性:100% 雪崩测试确保了在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS标准:环保设计,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:在SMPS或LED驱动器中,用于提高能效。
    - UPS:确保电源系统稳定运行。
    - 电机控制:提升电机控制系统的响应速度和效率。
    - 电池管理:确保电池系统的高效管理和安全。
    - 高频电路:利用其快速开关性能,适用于高频电路设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与现有的多种电路设计高度兼容,可广泛应用于不同类型的电子系统中。
    - 支持:厂商提供详细的用户指南和技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保设备在高温环境下正常运行?
    - 解决方案:使用合适的散热措施,如散热片或风扇,以确保工作温度在允许范围内。
    2. 问题:开启和关断时间过长怎么办?
    - 解决方案:优化外部驱动电路,减小栅极电阻,从而加快开关速度。
    3. 问题:设备在使用过程中出现过热现象怎么办?
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,必要时增加额外的冷却措施。

    总结和推荐


    GOFORD GT090N06D52 是一款具有卓越性能和广泛应用潜力的功率MOSFET。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高频应用的理想选择。同时,100% 雪崩测试和RoHS合规性也确保了其可靠性与环保性。基于以上分析,强烈推荐此产品在需要高性能、高效率的电子系统中使用。

GT090N06D52参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250µA
配置 -
FET类型 2个N沟道
栅极电荷 24nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 14A,10V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GT090N06D52厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT090N06D52数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT090N06D52 GT090N06D52数据手册

GT090N06D52封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.84
15000+ ¥ 1.808
20000+ ¥ 1.76
25000+ ¥ 1.68
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起订量: 5000 增量: 5000
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