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G50N03K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 16.6nC@ 10V 5.5mΩ 65A TO-252
供应商型号: G50N03K TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G50N03K

G50N03K概述

    G50N03K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    G50N03K 是一款由 GOFORD 生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,提供卓越的 RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这种 MOSFET 可广泛应用于电源开关、直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    - 主要参数
    - VDS(漏源电压): 30V
    - ID(连续漏电流): 65A(在 VGS = 10V 条件下)
    - RDS(ON)(导通电阻):
    - 在 VGS = 10V 时 < 7mΩ
    - 在 VGS = 5V 时 < 12mΩ
    - IDM(脉冲漏电流): 260A
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - PD(功耗): 48W
    - RthJC(热阻): 2.59°C/W
    - 绝对最大额定值
    - TJ 和 Tstg(工作和存储温度范围): -55°C 到 150°C
    - 重复额定值:脉冲宽度受限于最大结温
    - 静态参数
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压): 30V(在 VGS = 0V,ID = 250µA 条件下)
    - IDSS(零栅源漏电流): ≤1µA(在 VDS = 30V,VGS = 0V 条件下)
    - IGSS(栅源漏电): ±100nA(在 VGS = ±20V 条件下)
    - VGS(th)(阈值电压): 1V 到 2.5V(在 VDS = VGS,ID = 250µA 条件下)
    - 动态参数
    - Ciss(输入电容): 950pF(在 VGS = 0V,VDS = 15V,f = 1.0MHz 条件下)
    - Coss(输出电容): ≤280pF
    - Crss(反向转移电容): ≤160pF
    - Qg(总栅电荷): ≤16.6nC
    - td(on)(开通延迟时间): ≤10ns
    - 散热特性
    - 热阻 RthJC: 2.59°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(ON)):在 VGS = 10V 和 5V 时分别小于 7mΩ 和 12mΩ,提供了非常高的效率和更低的功耗。
    2. 高电流能力:连续漏电流可达 65A,峰值脉冲电流为 260A,适合高功率应用。
    3. 先进沟槽技术:采用先进沟槽技术,确保卓越的电气特性和稳定性。
    4. 高可靠性:100% 雪崩测试通过,确保了高度可靠的应用性能。
    5. 符合 RoHS 标准:绿色环保设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于直流/直流转换器和电源开关。
    - 使用建议:
    - 在高电流应用中,建议使用散热片以降低热阻,提高效率。
    - 确保 PCB 布局合理,以减小寄生电感,提高系统稳定性。
    - 在高频应用中,注意 PCB 设计中的电容匹配,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种标准 PCB 设计,可与其他电子元件无缝集成。
    - 支持和服务:GOFORD 提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括应用指导和技术培训。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过热问题
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题:高频下的振荡
    - 解决方案:优化 PCB 设计,加入合适的去耦电容,降低寄生电感。
    - 问题:过电流
    - 解决方案:检查电路设计,确保负载电流在额定范围内,必要时加入过流保护电路。

    总结和推荐


    G50N03K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 在高效能和高可靠性方面表现卓越,适用于多种高电流应用场合。其低导通电阻、高电流能力和良好的热管理性能使其成为市场上的优秀选择。我们强烈推荐使用这款 MOSFET,在保证效率的同时,也提高了系统的稳定性和可靠性。

G50N03K参数

参数
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 16.6nC@ 10V
Id-连续漏极电流 65A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

G50N03K厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G50N03K数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G50N03K G50N03K数据手册

G50N03K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.5175
7500+ ¥ 0.5085
12500+ ¥ 0.495
22500+ ¥ 0.4725
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