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G400P06S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 46nC@ 10V 33mΩ 6A SOP-8
供应商型号: G400P06S SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) G400P06S

G400P06S概述

    # G400P06S P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    G400P06S 是一款由 Goford Semiconductor 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,提供卓越的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。适用于广泛的电源转换应用,如开关电源、直流/直流转换器等。凭借其出色的电气特性和宽泛的工作温度范围,G400P06S 在工业控制、通信系统、计算机外围设备等领域具有广泛的应用前景。

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | -60 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | -6 | A |
    | 脉冲漏极电流(注1) | IDM | -24 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功耗 | PD | 1.7 | W |
    | 单脉冲雪崩能量(注2) | EAS | 144 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 150 | °C |
    热阻
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 结到环境热阻 | RthJA | 75 | °C/W |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = -250µA | -60 V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS = -60V, VGS = 0V -1 | µA |
    | 栅源漏电流 | IGSS | VGS = ±20V ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = -250µA | -2 | -2.5 | -3 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = -10V, ID = -12A 33 | 40 | mΩ |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0V, VDS = -30V, f = 1.0MHz 2506
    | 输出电容 | Coss 112 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 110
    | 总栅极电荷 | Qg | VDD = -30V, ID = -12A, VGS = -10V 46
    | 栅源电荷 | Qgs 10 nC |
    二极管特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 连续体二极管电流 | IS | TC = 25°C -6 | A |
    | 体二极管电压 | VSD | TJ = 25°C, ISD = -12A, VGS = 0V -1.2 | V |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | IF = -12A, VGS = 0V, di/dt=-100A/us 47 nC |
    | 反向恢复时间 | Trr 34 ns |

    产品特点和优势


    G400P06S 的特点包括:
    - 高可靠性:100% 雪崩测试保证了其在极端条件下的耐用性。
    - 高效能:低栅极电荷和低导通电阻,使器件具有高效的电源管理能力。
    - 广泛的工作温度范围:从-55°C到150°C,确保了在各种严苛环境下的稳定性。
    - 符合RoHS标准:无铅设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:作为开关元件,用于电压转换。
    - 直流/直流转换器:作为高效能的功率转换元件,用于不同电压等级之间的转换。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动器时,应考虑其能够提供足够的栅极充电电流,以确保快速开关。
    - 使用低电感封装材料,以减少寄生电感的影响,提高整体效率。

    兼容性和支持


    G400P06S 采用SOP-8封装,可直接替换其他同规格的SOP-8封装MOSFET,适用于现有的设计平台。Goford Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的用户指南、应用笔记和技术文档,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:器件发热严重,可能是什么原因?
    - 解决办法:检查散热片是否安装正确,确认散热面积足够大。可以考虑使用更大尺寸的散热片或散热风扇来改善散热效果。
    问题2:器件启动时存在延迟。
    - 解决办法:检查栅极驱动信号强度是否足够。增加驱动信号的幅度或降低栅极电阻可以缩短延迟时间。
    问题3:二极管反向恢复过程中产生大量热量。
    - 解决办法:增加外部电路中的电感,减缓电流变化率(dI/dt),从而降低反向恢复过程中的能量损耗。

    总结和推荐


    G400P06S P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一款高性能的功率器件,以其优秀的电气特性、稳定的工作环境和可靠的设计赢得了广泛的应用。适用于各类电源管理和转换场景。强烈推荐在需要高效、稳定且耐用的功率控制应用中使用该器件。

G400P06S参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 46nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOP-8

G400P06S厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

G400P06S数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 G400P06S G400P06S数据手册

G400P06S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ ¥ 0.69
12000+ ¥ 0.678
16000+ ¥ 0.66
20000+ ¥ 0.63
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