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GT105N10F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 8mΩ 33A TO-220F
供应商型号: GT105N10F TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GT105N10F

GT105N10F概述

    # 电子元器件技术手册:GT105N10F MOSFET

    产品简介


    GT105N10F 是一款由Ford Semiconductor公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽工艺制造,旨在提供优异的RDS(ON) 和低栅极电荷。此款电子元器件广泛应用于多种领域,如电源开关和直流/直流转换器等。

    技术参数


    以下是GT105N10F的技术规格、性能参数、电气特性和工作环境的信息:
    - 基本参数
    - 漏源电压 VDS: 100 V
    - 连续漏极电流 ID: 33 A
    - 脉冲漏极电流 IDM (注意1): 132 A
    - 栅源电压 VGS: ±20 V
    - 功率耗散 PD: 20.8 W
    - 单脉冲雪崩能量 EAS (注意2): 72 mJ
    - 工作结温及存储温度范围 TJ, Tstg: -55 至 150 ºC
    - 热阻参数
    - 结至环境热阻 RthJA: 60 ºC/W
    - 最大结至外壳热阻 RthJC: 6 ºC/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 V(BR)DSS (VGS = 0V, ID = 250µA): 100 V
    - 零栅压漏极电流 IDSS (VDS = 100V, VGS = 0V): ≤1 µA
    - 栅源泄漏电流 IGSS (VGS = ±20V): ≤±100 nA
    - 栅源阈值电压 VGS(th) (VDS = VGS, ID = 250µA): 1 - 2.5 V
    - 漏源导通电阻 RDS(on) (VGS = 10V, ID = 20A): ≤10.5 mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 Ciss (VGS = 0V, VDS = 50V, f = 1.0MHz): ≤1587 pF
    - 输出电容 Coss: ≤684 pF
    - 反向转移电容 Crss: ≤13 pF
    - 总栅极电荷 Qg (VDD = 50V, ID = 20A, VGS = 10V): ≤54 nC

    产品特点和优势


    GT105N10F 具备以下特点和优势:
    - 使用先进的沟槽技术,保证出色的 RDS(ON) 性能和低栅极电荷。
    - 高额定电流和电压能力,适用于广泛的工业应用。
    - 罗氏合规(RoHS),环保安全。
    - 100%雪崩测试验证,确保可靠性。
    - 极低的漏源导通电阻,可减少损耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    GT105N10F 广泛应用于开关电源和直流/直流转换器。例如,在大功率电源系统中,该器件可以有效降低损耗,提升整体系统效率。
    使用建议
    - 在使用过程中,应确保电压和电流不超过额定值,避免过载损坏。
    - 考虑到其高功率密度特性,设计散热系统时要确保良好的散热条件。
    - 在选择外围元件时,考虑到栅极电荷较低,可以选择合适的驱动电路以优化性能。

    兼容性和支持


    GT105N10F 支持常见的工业标准封装 TO-220F,易于集成于现有的电路板设计。此外,制造商提供了详细的技术支持文档和客户服务,以帮助用户解决在安装和调试过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作时发热严重,难以散热。
    - 解决方案:增加散热片或使用外部风扇冷却系统,优化电路布局,减少热阻。

    - 问题:驱动电路不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保合适的栅极电阻,必要时可更换为更稳定的驱动芯片。

    总结和推荐


    GT105N10F 在技术参数和性能上表现出色,特别是在高效率和可靠性方面。对于需要高性能 MOSFET 的应用场合,此款器件是理想的选择。基于其卓越的性能和广泛应用的可能性,强烈推荐此产品用于各种高功率电力电子应用中。
    本手册涵盖了 GT105N10F MOSFET 的所有关键技术要点,希望能帮助您更好地理解和使用这款高性能的电子元器件。如需更多技术支持或订购信息,请联系Ford Semiconductor公司。

GT105N10F参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 33A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
零件状态 在售
包装方式 管装

GT105N10F厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

GT105N10F数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 GT105N10F GT105N10F数据手册

GT105N10F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 1.725
150+ ¥ 1.695
250+ ¥ 1.65
6700+ ¥ 1.575
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