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YJG90N04A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 10.9nC@ 10V 3.5mΩ@ 10V,20A 90A
供应商型号: 31M-YJG90N04A
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YJG90N04A

YJG90N04A概述

    # YJG90N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    产品简介


    基本介绍
    YJG90N04A 是由扬州市杨捷电子科技有限公司生产的一款N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)。这款晶体管主要用于高电流负载的应用场合,适用于硬开关和高频电路,并且在不间断电源系统中有广泛的应用。
    主要功能
    - 高电流处理能力
    - 高频率开关操作
    - 硬开关应用
    - 适合于不间断电源系统
    应用领域
    - 高电流负载应用
    - 负载开关
    - 硬开关和高频电路
    - 不间断电源系统

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏极连续电流 | TC=25℃ | ID | 90 | A |
    TC=100℃ 63 | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 340 | A |
    | 总功耗 | TC=25℃ | PD | 55 | W |
    TC=100℃ 27.5 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 220 | mJ |
    | 热阻 | TJ, TSTG | -55~+175 | ℃ |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 静态参数 |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS= 0V, ID=250μA | 40 V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS= ±20V, VDS=0V | ±100 nA |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | VDS= VGS, ID=250μA | 0.7 | 1.2 | 2.0 | V |
    | 栅-源电荷 | Qgs | VGS=10V,VDS=20,ID=20A 19.7 | nC |
    | 栅-漏电荷 | Qgd | VGS=10V,VDS=20,ID=20A 89 | nC |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | IF=20A, di/dt=100A/us 7.3 | nC |
    | 反向恢复时间 | trr | IF=20A, di/dt=100A/us 24 | ns |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 先进的沟槽功率MOSFET技术:提供了优秀的热散逸能力,适合高电流负载应用。
    - 低RDS(ON):高密度单元设计降低了导通电阻,提高了效率。
    - 100% UIS和δVDS测试:确保产品的稳定性和可靠性。
    市场竞争力
    - 高电流处理能力:具备90A的漏极连续电流,能够满足高强度电流应用需求。
    - 高频操作:适用于硬开关和高频电路,具有出色的动态特性。

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    - 高电流负载应用:例如工业电机驱动,可以有效降低能耗并提高系统效率。
    - 不间断电源系统:用于电池充电和放电过程中的开关控制。
    使用建议
    - 散热管理:在高电流负载应用中,应考虑有效的散热措施,以保持良好的工作温度。
    - 驱动电路设计:根据产品的栅-源电荷和栅-漏电荷参数,优化驱动电路的设计以减少能量损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该产品可与其他标准的电子元件兼容,适配性强。
    支持和维护
    - 厂商提供技术支持,可根据具体应用场景提供相应的指导和帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 过温保护问题
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,以降低工作温度。
    2. 电流波动问题
    - 解决方案:检查外部电路设计是否合理,确保电流供应稳定。

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:
    - 高电流处理能力
    - 优秀的动态特性
    - 高密度单元设计,降低了RDS(ON)

    - 推荐:
    - YJG90N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor是一款性能优越的产品,适合应用于高电流负载和高频电路中,强烈推荐使用。

YJG90N04A参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 10V,20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 90A
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 10.9nC@ 10V

YJG90N04A厂商介绍

YANGJIE公司是一家专注于工业自动化和智能制造领域的高科技企业。公司主营产品包括但不限于:

1. 工业机器人:提供多关节机器人、SCARA机器人等,广泛应用于汽车制造、3C电子、食品包装等行业。
2. 自动化生产线:定制化设计和制造,服务于医药、化工、物流等多个领域。
3. 智能控制系统:包括PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动化控制和管理。
4. 传感器与执行器:提供各类传感器和执行器,用于监测和控制工业环境中的各种参数。

YANGJIE的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 定制化服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业的特定需求。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 全球网络:拥有广泛的国内外销售和服务网络,提供快速响应和优质服务。

YANGJIE致力于通过先进的技术和服务,推动工业自动化和智能制造的发展,为客户创造更大的价值。

YJG90N04A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YANGJIE/扬州扬杰电子 YJG90N04A YJG90N04A数据手册

YJG90N04A封装设计

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