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YJQ50N03B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W 46.3nC@ 10V 1个N沟道 30V 3.9mΩ@ 10V 50A DFN-3333
供应商型号: 14M-YJQ50N03B DFN3333-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YJQ50N03B

YJQ50N03B概述

    YJQ50N03B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    产品简介


    YJQ50N03B 是由扬州扬杰电子科技有限公司开发的一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的晶体管广泛应用于需要高电流负载、硬开关和高频电路的应用中,如不间断电源系统(UPS)。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):50A
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在VGS = 10V时:<6.0mΩ
    - 在VGS = 4.5V时:<8.0mΩ
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):225mJ
    - 热阻 (RθJC):5℃/W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55℃至+175℃
    - 栅极和漏极之间的反向转移电容 (Crss):247pF

    产品特点和优势


    YJQ50N03B 采用了沟槽式功率LV MOSFET技术,具有优异的散热性能。该器件设计为低导通电阻,以实现高效的能量转换。此外,它经过100% UIS测试和▽VDS测试,确保可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    YJQ50N03B 适用于各种高电流负载应用,如负载切换、硬开关和高频率电路。例如,在不间断电源系统中,该器件可以有效处理高电流需求并确保系统稳定运行。使用建议包括确保适当的散热设计和使用时的过载保护措施。

    兼容性和支持


    YJQ50N03B 符合RoHS标准,可以与其他标准电子元器件和设备兼容。厂商提供了详细的技术支持和维护服务,包括文档和在线资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏极电流导致器件损坏
    - 解决方案:检查电路设计,确保电流在安全范围内。
    - 问题:过热问题
    - 解决方案:改善散热设计,使用更大的散热片或风扇辅助散热。

    总结和推荐


    总体而言,YJQ50N03B是一款高性能的N沟道MOSFET,具备优秀的散热性能和低导通电阻,适用于多种高电流负载应用。其可靠性高,且厂商提供完善的技术支持。因此,我们强烈推荐使用这款产品,特别是对于需要高效能、高可靠性的场合。

YJQ50N03B参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 30W
Id-连续漏极电流 50A
栅极电荷 46.3nC@ 10V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 DFN-3333

YJQ50N03B厂商介绍

YANGJIE公司是一家专注于工业自动化和智能制造领域的高科技企业。公司主营产品包括但不限于:

1. 工业机器人:提供多关节机器人、SCARA机器人等,广泛应用于汽车制造、3C电子、食品包装等行业。
2. 自动化生产线:定制化设计和制造,服务于医药、化工、物流等多个领域。
3. 智能控制系统:包括PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动化控制和管理。
4. 传感器与执行器:提供各类传感器和执行器,用于监测和控制工业环境中的各种参数。

YANGJIE的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 定制化服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业的特定需求。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 全球网络:拥有广泛的国内外销售和服务网络,提供快速响应和优质服务。

YANGJIE致力于通过先进的技术和服务,推动工业自动化和智能制造的发展,为客户创造更大的价值。

YJQ50N03B数据手册

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YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YANGJIE/扬州扬杰电子 YJQ50N03B YJQ50N03B数据手册

YJQ50N03B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 0.819
250+ ¥ 0.7898
500+ ¥ 0.7605
5000+ ¥ 0.702
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