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YJP200G06B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 260W 1个N沟道 60V 2.5mΩ@ 10V 200A TO-220
供应商型号: YJP200G06B
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YJP200G06B

YJP200G06B概述

    # YJP200G06B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    产品简介


    YJP200G06B 是一款由扬州扬杰电子科技有限公司生产的高性能 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它适用于各种电力应用,如消费电子电源、隔离式 DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等。这款 MOSFET 的显著特点是具有出色的热耗散能力,使其非常适合高电流应用环境。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):60V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 持续漏极电流 (ID):200A (TC=25℃) / 125A (TC=100℃)
    - 脉冲漏极电流 (BIDM):600A
    - 雪崩能量 (EAS):500mJ
    - 总功耗 (PD):260W
    - 结到外壳热阻 (RθJC):0.48℃/W
    - 结到环境热阻 (RθJA):28℃/W
    - 结温和存储温度范围 (TJ, TSTG):-55℃~+150℃
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):2.0V~4.0V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):2.5mΩ~3.2mΩ
    - 二极管正向电压 (VSD):1.2V
    - 最大体二极管连续电流 (IS):200A
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):4165pF
    - 输出电容 (Coss):900pF
    - 反向传输电容 (Crss):59pF
    - 总栅极电荷 (Qg):65nC
    - 栅源电荷 (Qgs):11.9nC
    - 栅极漏极电荷 (Qgd):9.8nC
    - 反向恢复电荷 (Qrr):63nC
    - 反向恢复时间 (trr):58ns
    开关参数
    - 开启延迟时间 (td(on)):22.5ns
    - 开启上升时间 (tr):6.7ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):80.3ns
    - 关闭下降时间 (tf):26.9ns

    产品特点和优势


    YJP200G06B 采用了分裂栅沟槽 MOSFET 技术,具有以下几个显著优势:
    - 出色的热耗散能力:适用于高电流应用。
    - 低导通电阻 (RDS(ON)):在 10V 栅源电压下的 RDS(ON) 小于 3.2mΩ,保证高效的电力转换。
    - 高可靠性:所有产品均通过UIS测试和 VDS 测试,确保长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 消费电子电源:用于便携式充电器、电源适配器等。
    2. 隔离式 DC-DC 转换器:应用于电信设备、工业控制系统。
    3. 电机控制:用于各类电动工具和驱动系统。
    4. 逆变器:应用于太阳能逆变器、UPS 系统等。
    使用建议
    - 散热设计:由于 YJP200G06B 的功耗较高,需确保良好的散热设计,以避免过热问题。
    - 外部电路保护:为防止过流、过压等情况,建议在电路中添加相应的保护电路,如保险丝、瞬态抑制二极管等。
    - 信号完整性:在高速开关应用中,注意 PCB 布局和走线长度,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:YJP200G06B 可与市面上主流的 PCB 材料及封装工艺兼容。
    - 技术支持:扬州扬杰电子科技有限公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:设备在高温环境下无法正常工作。
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。
    问题2:器件出现漏电流超标现象。
    解决方案:确认工作条件是否在额定范围内,若超出,则需采取措施降低电流。
    问题3:频繁的关断现象。
    解决方案:检查外围电路设计,确保没有干扰信号影响正常工作。

    总结和推荐


    综上所述,YJP200G06B 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET。其出色的导通电阻和优异的热耗散能力使其在各种电力应用中表现出色。尽管在高温环境下需要谨慎设计散热系统,但总体而言,这款产品非常值得推荐。如果你需要一款高性能的 MOSFET,YJP200G06B 将是一个理想的选择。

YJP200G06B参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 200A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 260W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
应用等级 工业级

YJP200G06B厂商介绍

YANGJIE公司是一家专注于工业自动化和智能制造领域的高科技企业。公司主营产品包括但不限于:

1. 工业机器人:提供多关节机器人、SCARA机器人等,广泛应用于汽车制造、3C电子、食品包装等行业。
2. 自动化生产线:定制化设计和制造,服务于医药、化工、物流等多个领域。
3. 智能控制系统:包括PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动化控制和管理。
4. 传感器与执行器:提供各类传感器和执行器,用于监测和控制工业环境中的各种参数。

YANGJIE的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 定制化服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业的特定需求。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 全球网络:拥有广泛的国内外销售和服务网络,提供快速响应和优质服务。

YANGJIE致力于通过先进的技术和服务,推动工业自动化和智能制造的发展,为客户创造更大的价值。

YJP200G06B数据手册

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YJP200G06B封装设计

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