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WPM3028B-8/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: WPM3028B-8/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WPM3028B-8/TR

WPM3028B-8/TR概述

    WPM3028B 单片 P-Channel -30V -36A 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WPM3028B 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的 P-通道增强型 MOS 场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽技术和高密度单元设计。该产品以其出色的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(QG)为特色,在各类直流-直流转换器、电源开关电路及便携式设备的负载/功率切换中表现出色。WPM3028B 是无铅环保型产品,符合 RoHS 标准。
    主要特点:
    - 单 P-Channel 设计:适用于电压高达 -30V 的电路;
    - 电流能力:连续漏极电流可达 -36A(Tc=25°C),脉冲漏极电流高达 -93A;
    - 小型化封装:PDFN3333-8L 封装,适合紧凑空间设计。
    应用领域:
    - 直流-直流转换器;
    - 便携式设备的负载/功率开关;
    - 充电电路;
    - 各类电源管理系统。

    2. 技术参数


    以下是 WPM3028B 的关键技术参数汇总:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | -30 | - | V |
    | 漏极连续电流(Tc=25°C) | ID | - | -36 | - | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM | - | -93 | - | A |
    | 导通电阻(VGS=-10V) | RDS(ON) | - | 8.4 | 10.5 | mΩ |
    | 栅源阈值电压(VGS=VDS) | VGS(TH) | -1.0 | -2.1 | -3.0 | V |
    | 输入电容(VGS=0V) | CISS | - | 1995 | - | pF |
    | 输出电容(VDS=-15V) | COSS | - | 355 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 271 | - | pF |
    | 温度范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻(稳态) | RθJA | - | 48 | 60 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    WPM3028B 的核心优势在于其高性能与可靠性:
    - 先进的沟槽技术:确保了较低的导通电阻(RDS(ON))和高效的开关性能。
    - 高电流承载能力:适合高功率应用场景,如便携式设备和工业电源。
    - 小尺寸封装:PDFN3333-8L 封装仅占用 3.3×3.3mm² 的空间,非常适合现代紧凑型设计。
    - 低功耗:优异的热管理能力,有助于提升系统整体效率。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)的充电电路;
    - 工业电源中的 DC-DC 转换模块;
    - 高频逆变器及电源管理单元。
    使用建议:
    - 在高频开关电路中,建议使用旁路电容器来稳定栅极驱动电压;
    - 在高温环境下,需注意散热设计以防止热失控;
    - 使用时请参考绝对最大额定值,避免超过规定的电压和电流限制。

    5. 兼容性和支持


    WPM3028B 的 PDFN3333-8L 封装具有良好的通用性,可轻松集成至现有 PCB 布局中。Will Semiconductor 提供全面的技术支持,包括样品申请、技术支持以及长期供货承诺。用户可通过官方网站([http://www.sh-willsemi.com](http://www.sh-willsemi.com))获取更多资源。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 确保焊接质量良好,检查是否有短路现象;更换损坏的器件。 |
    | 开关速度慢 | 增加栅极驱动电压,优化 PCB 布线布局。 |
    | 过热保护触发 | 改善散热设计,使用外部散热器或增加通风口。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,WPM3028B 是一款兼具高性能与高可靠性的 P-通道功率 MOSFET,特别适合高要求的直流-直流转换器及电源开关电路。其优异的导通电阻、低功耗特性和小巧封装使其在市场上极具竞争力。我们强烈推荐此产品用于需要高效能和高稳定性的应用场景。
    最终结论:高度推荐!

WPM3028B-8/TR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

WPM3028B-8/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WPM3028B-8/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WPM3028B-8/TR WPM3028B-8/TR数据手册

WPM3028B-8/TR封装设计

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