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WNMD4800-8/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNMD4800-8/TR

WNMD4800-8/TR概述

    # WNMD4800 技术手册

    产品简介


    WNMD4800 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的双 N-通道功率 MOSFET。其具有高密度单元设计、极低阈值电压和卓越的导通电阻(RDS(on)),使其在多种应用场景中表现出色。WNMD4800 主要用于直流-直流转换器、电源转换电路和便携式设备中的负载/功率开关。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | 30 | - | V |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | - | 1 | - | uA |
    | 门-源漏电电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA |
    | 门阈值电压 | VGS(TH) | 0.5 | 1.0 | 1.5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 17 | - | 27 | mΩ |
    | 转导电导率 | gFS | 6 | - | 16 | S |
    | 输入电容 | CISS | - | 834 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 105 | - | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | 93 | - | pF |
    | 总门电荷 | QG(TOT) | - | 19.9 | - | nC |
    | 阈值门电荷 | QG(TH) | - | 0.9 | - | nC |
    | 门-源电荷 | QGS | - | 2 | - | nC |
    | 门-漏电荷 | QGD | - | 3.9 | - | nC |
    | 开启延时时间 | td(ON) | - | 10.6 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 5.4 | - |
    | 关闭延时时间 | td(OFF) | - | 45.6 | - |
    | 下降时间 | tf | - | 7.6 | - |

    产品特点和优势


    WNMD4800 的主要特点包括:
    - 高密度单元设计:提供卓越的性能和可靠性。
    - 极低阈值电压:便于驱动,降低了功耗。
    - 良好的导通电阻(RDS(on)):减少了发热,提高了效率。
    - 小巧的SOP-8L封装:便于在空间有限的应用中使用。
    - 温度范围广:-55°C到+150°C,适合各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    WNMD4800 广泛应用于各类直流-直流转换器、电源转换电路及便携式设备中的负载/功率开关。例如,在便携式充电器中,WNMD4800 的高效率和低功耗特性可以显著提高电池寿命和设备的稳定性。在实际应用中,建议在高温环境下进行充分的热管理以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    WNMD4800 与常见的直流-直流转换器和电源管理系统完全兼容。Will Semiconductor Ltd. 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 使用散热片或散热器进行散热 |
    | 性能不稳定 | 确保正确的门电压和电路布局 |
    | 无法正常工作 | 检查接线和连接是否正确,重新测试 |

    总结和推荐


    WNMD4800 凭借其卓越的性能和广泛应用领域,在市场上具有很强的竞争力。其低阈值电压、高密度单元设计和良好的导通电阻等特点使其成为理想的直流-直流转换器和便携式设备的功率开关选择。我们强烈推荐此产品给需要高效、可靠的电子设计工程师和制造商。

WNMD4800-8/TR参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8L

WNMD4800-8/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNMD4800-8/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNMD4800-8/TR WNMD4800-8/TR数据手册

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