处理中...

首页  >  产品百科  >  WNM2016A-3/TR

WNM2016A-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.4W 12V 1V 20V 16mΩ@ 10V,28A 6A 247pF SOT-23-3
供应商型号: 15MM-WNM2016A-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM2016A-3/TR

WNM2016A-3/TR概述

    # WNM2016A N-Channel Enhancement MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    WNM2016A 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各类电力转换及开关电路。
    主要功能
    该器件采用先进的沟槽技术制造,提供极低的导通电阻(RDS(ON))和极低的门电荷。它特别适用于直流-直流变换器、电源转换电路以及便携式设备的负载/功率切换。
    应用领域
    - 直流/直流转换器
    - 电源供应转换电路
    - 便携设备中的负载/功率开关

    技术参数


    电气特性
    - 最大漏源电压 (VDS): 20V
    - 门源电压 (VGS): ±12V
    - 连续漏电流 (TA=25°C): 4.7A
    - 突发漏电流 (TA=25°C): 24A
    - 最大耗散功率 (TA=25°C): 1.4W
    - 工作结温范围: -55°C 至 150°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 150°C
    导通电阻 (RDS(on))
    - VGS=4.5V, ID=4.7A: 33 mΩ
    - VGS=3.1V, ID=3.5A: 39 mΩ
    - VGS=2.5V, ID=2.5A: 44 mΩ
    - VGS=1.8V, ID=2.0A: 66 mΩ
    其他特性
    - 开启延迟时间 (td(ON)): 5.3 ns
    - 上升时间 (tr): 12.6 ns
    - 关断延迟时间 (td(OFF)): 25 ns
    - 下降时间 (tf): 9.9 ns
    - 输入电容 (CISS): 247 pF
    - 输出电容 (COSS): 53 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 36 pF
    - 门总电荷 (QG(TOT)): 4.2 nC

    产品特点和优势


    WNM2016A 的主要特点是其采用了先进的沟槽技术,并拥有极高的密度单元设计。这种设计使得它具有非常低的导通电阻和极低的门限电压。此外,其小封装(SOT-23)使其在空间受限的应用中表现优异。这些特点使得 WNM2016A 在众多同类产品中脱颖而出,尤其适用于需要高效率和紧凑空间的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器: 用于笔记本电脑和智能手机等便携设备的电源管理系统中。
    - 便携设备中的负载/功率开关: 在智能手表、平板电脑等设备中作为功率开关使用。
    使用建议
    - 在选择栅极驱动电压时,确保 VGS 低于最大额定值以避免损坏。
    - 在高频开关应用中,应注意门电荷的影响,适当调整驱动电阻以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: WNM2016A 具有标准的 SOT-23 封装,易于与其他 SMT 设备集成。
    - 支持: 威尔半导体有限公司提供了详细的技术支持文档和在线资源,以帮助用户进行产品选型和使用。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题: 如何防止器件过热?
    - 解决方案: 确保 PCB 设计中有足够的散热路径,特别是在高功耗情况下。可以考虑添加散热片或其他散热措施。
    2. 开关性能不佳: 如何改善开关性能?
    - 解决方案: 调整驱动电阻以优化门电荷,从而提高开关速度和减少损耗。

    总结和推荐


    WNM2016A 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET,特别适合用于直流-直流转换器、电源转换电路和便携式设备中的负载/功率开关。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在低导通电阻和门电荷方面表现出色,且具有良好的热稳定性。威尔半导体有限公司提供的技术支持和详细的文档使得这款器件成为许多应用的理想选择。
    综上所述,我们强烈推荐使用 WNM2016A MOSFET,尤其是在需要高效率和紧凑尺寸的应用中。

WNM2016A-3/TR参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1.4W
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 10V,28A
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 247pF
通用封装 SOT-23-3
应用等级 工业级
零件状态 在售

WNM2016A-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM2016A-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM2016A-3/TR WNM2016A-3/TR数据手册

WNM2016A-3/TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.13
100+ ¥ 0.12
3000+ ¥ 0.115
库存: 6
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.13
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336