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WPM2037-6/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 800mW 1V@ 250uA 20V 61mΩ@ 4.5V,3.2A 3.1A SOT-23-6L 贴片安装
供应商型号: WPM2037-6/TR
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WPM2037-6/TR

WPM2037-6/TR概述

    WPM2037 P-Channel Enhancement MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WPM2037 是一款单片P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement MOSFET),适用于直流-直流转换器、电源开关、充电电路等领域。其采用了先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,从而实现高效能表现。该器件为无铅设计,符合环保标准。

    2. 技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压(VDS):-20V
    - 持续漏电流(ID):-3.6A @ TA=25°C,-2.9A @ TA=70°C
    - 最大功率耗散(PD):0.7W @ TA=25°C,0.6W @ TA=70°C
    - 重复脉冲漏电流(IDM):-20A
    - 工作结温(TJ):150°C
    - 引脚温度(TL):260°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至150°C
    - 热阻率
    - 结到环境热阻(RθJA):112°C/W(稳态)
    - 结到环境热阻(RθJA):132°C/W(脉冲状态)
    - 结到壳体热阻(RθJC):50°C/W(稳态)
    - 电气特性
    - 开启门限电压(VGS(TH)):-0.35V 至 -1.0V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.047Ω @ VGS=-4.5V
    - 输入电容(CISS):1130pF
    - 输出电容(COSS):120pF
    - 反向传输电容(CRSS):115pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):11nC
    - 阈值栅极电荷(QG(TH)):0.6nC
    - 栅源电荷(QGS):1.3nC
    - 栅极电荷(QGD):2.7nC
    - 开关特性
    - 导通延迟时间(td(ON)):9.5ns
    - 上升时间(tr):5.8ns
    - 关断延迟时间(td(OFF)):54ns
    - 下降时间(tf):13ns

    3. 产品特点和优势


    - Trench Technology(沟槽技术):显著提高了密度和导通效率。
    - Super high density cell design(高密度单元设计):提高了整体性能。
    - Excellent ON resistance(优异的导通电阻):在高直流电流条件下表现出色。
    - Extremely Low Threshold Voltage(超低阈值电压):简化了驱动电路的设计。
    - Small package(小型封装):采用SOT-23-6L封装,适合空间受限的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 继电器、电磁阀、电机、LED驱动器等
    - 直流-直流转换器电路
    - 电源开关
    - 负载开关
    - 充电电路
    - 使用建议:
    - 在选择应用场合时,确保其工作温度不超过150°C,避免长时间过载导致的热损。
    - 在布线时,尽量减小寄生电感,以减少栅极振铃现象。
    - 使用合适的栅极驱动电阻,避免过快的开关速度导致的损耗增加。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WPM2037与其他标准P沟道MOSFET具有良好的互换性,适用于多种电路设计。
    - 支持:Will Semiconductor Ltd. 提供详尽的技术文档和专业的技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重,如何解决?
    - 解决方法:检查电路负载是否过大,适当降低负载或增加散热措施,如加大散热器面积或改善空气流动。

    - 问题2:栅极振铃严重,如何解决?
    - 解决方法:在栅极电路中加入RC滤波器,或者选用带内部栅极电阻的MOSFET,减少振铃现象。

    7. 总结和推荐


    WPM2037是一款高性能、可靠且易于使用的P沟道增强型MOSFET。其优异的导通电阻和低栅极电荷使其在多种应用中表现出色,特别适用于高效率要求的应用场合。综合考虑其技术参数、应用特点以及制造商的支持,我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

WPM2037-6/TR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@ 4.5V,3.2A
最大功率耗散 800mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 3.1A
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-23-6L
安装方式 贴片安装

WPM2037-6/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WPM2037-6/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WPM2037-6/TR WPM2037-6/TR数据手册

WPM2037-6/TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.3403
15000+ ¥ 0.3313
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