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WNM6002-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 310mW 20V 2V 1.2nC@ 10V 2个N沟道 60V 2Ω@ 10V 300mA 23.37pF@ 25V SOT-323-3
供应商型号: 26M-WNM6002-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM6002-3/TR

WNM6002-3/TR概述

    # NM6002 单片N沟道60V 0.30A 功率MOSFET 技术手册

    产品简介


    NM6002是一款单片N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为多种应用而设计。其核心参数包括:电压耐受能力高达60V,最大连续电流可达0.30A。这款器件广泛应用于各种驱动、开关及转换电路中,如继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动电路,以及DC-DC转换器等。

    技术参数


    主要电气参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TA=25°C时: 0.30A
    - TA=70°C时: 0.20A
    - 最大功耗 (PD):
    - TA=25°C时: 0.4W
    - TA=70°C时: 0.28W
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 1.0A (宽度<380µs)
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 150°C
    热阻参数
    - 瞬态热阻 (RθJA):
    - 顶层 <10秒: 325°C/W
    - 稳态: 245°C/W
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 0.31°C/W
    关断特性
    - 零栅压漏极电流 (IDSS): 1uA (VDS=60V, VGS=0V)
    - 栅源漏电流 (IGSS): ±5uA (VDS=0V, VGS=±20V)
    导通特性
    - 阈值电压 (VGS(TH)): 0.8V 至 1.3V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=10V, ID=0.37A时: 1.4Ω
    - VGS=4.5V, ID=0.2A时: 1.7Ω
    容抗特性
    - 输入电容 (CISS): 23.37pF (VGS=0V, f=1.0MHz, VDS=25V)
    - 输出电容 (COSS): 7.33pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 5.2pF
    开关特性
    - 开启延时时间 (td(ON)): 7.6ns
    - 上升时间 (tr): 5.1ns
    - 关闭延时时间 (td(OFF)): 24.6ns
    - 下降时间 (tf): 10ns

    产品特点和优势


    NM6002具有以下显著优势:
    - 采用先进的沟槽技术:提供高密度单元设计,提高了电流承载能力和整体效率。
    - 极低的阈值电压:简化驱动电路的设计,减少功耗。
    - 极小封装:SOT-323封装适用于紧凑型应用。
    - 出色的导通电阻:低至1.4Ω (VGS=10V),适合大电流应用。
    - 超高的静电防护能力:可承受高达2000V的人体模型静电放电。

    应用案例和使用建议


    NM6002适用于以下应用:
    - 继电器驱动:由于其低导通电阻,能够有效地驱动大电流继电器。
    - DC-DC转换器:作为功率开关,用于高效能量转换。
    - 电机控制:实现对电机的快速、精确控制。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意限制漏极电流以防止过热。
    - 确保足够的栅极驱动电压以保持良好的开关性能。

    兼容性和支持


    NM6002采用SOT-323封装,易于与其他标准元件集成。Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持和质保服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1: 产品使用过程中发热严重。
    解决方法: 检查负载电流是否超过最大额定值。如果需要,增加散热措施,如加装散热片或改善散热条件。
    问题2: 无法正确驱动。
    解决方法: 确保栅极驱动电压足够,通常为10V。如果仍然存在问题,检查电路连接和电源稳定性。

    总结和推荐


    综上所述,NM6002是一款高性能、低成本的N沟道功率MOSFET,适用于多种应用场合。其优良的导通特性、低阈值电压和紧凑封装使其成为许多电路的理想选择。我们强烈推荐NM6002给需要高效、可靠开关解决方案的工程师和设计师。

WNM6002-3/TR参数

参数
栅极电荷 1.2nC@ 10V
最大功率耗散 310mW
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 300mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23.37pF@ 25V
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-323-3
应用等级 工业级
零件状态 在售

WNM6002-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM6002-3/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM6002-3/TR WNM6002-3/TR数据手册

WNM6002-3/TR封装设计

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50+ ¥ 0.1625
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