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WTM40N65AMP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 81mΩ@ 10V,15.4A 40A TO-247-3L
供应商型号: WTM40N65AMP TO-247-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
WPMTEK/深圳维攀微电子 场效应管(MOSFET) WTM40N65AMP

WTM40N65AMP概述

    # 电子元器件技术手册:WTM40N65AMP N-Channel Super Junction MOSFET

    产品简介


    WTM40N65AMP是一款适用于多种电力电子应用的N沟道超级结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具备低导通电阻(RDS(on))和超快恢复二极管等特性,广泛应用于电源转换、电机控制、照明系统等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS): 650V
    - 栅源电压(VGSS): ±30V
    - 连续漏电流(ID):
    - TC=25°C时: 40A
    - TC=100°C时: 25A
    - 脉冲漏电流(IDM): 160A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 470mJ
    - 反复雪崩电流(IAR): 9A
    - 反复雪崩能量(EAR): 2.3mJ
    - 功耗(PD): 230W
    - 结温(TJ): 150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C~150°C
    热特性
    - 热阻,结到壳(Rth(j-c)): 最大0.543°C/W
    - 热阻,结到环境(Rth(j-a)): 最大50°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 650V
    - 栅阈值电压(VGS(th)): 3~5V
    - 漏源截止电流(IDSS): - - 10uA
    - 栅漏电流(IGSS): - - 1000nA
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)): 最大0.099Ω
    - 输入电容(Ciss): 3596pF
    - 输出电容(Coss): 122pF
    - 反向转移电容(Crss): 3.7pF
    - 开启延迟时间(td(on)): 120ns
    - 上升时间(tr): 80ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 165ns
    - 下降时间(tf): 8.5ns
    - 总栅电荷(Qg): 74nC
    - 栅源电荷(Qgs): 26.5nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 27.5nC
    - 栅平台电压(Vplateau): 7.2V
    二极管特性
    - 源电流(IS):
    - 连续: 40A
    - 脉冲: 160A
    - 正向电压(VSD): 最大1.5V
    - 反向恢复时间(trr): 200ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 0.51uC

    产品特点和优势


    1. 高耐压能力: 650V的漏源电压(VDSS),适合高压应用。
    2. 低导通电阻: 最大0.099Ω的漏源导通电阻(RDS(on)),减少功率损耗。
    3. 快速恢复特性: 202ns的超快体二极管反向恢复时间(trr),提高效率。
    4. 增强的可靠性: 100%的雪崩测试确保长期稳定运行。
    5. 环保认证: RoHS合规,符合国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WTM40N65AMP适用于多种高压电路,如开关电源、逆变器和电机驱动等。例如,在LED照明系统中,它可以作为高效能的开关元件,显著降低能耗并提升整体系统效率。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意合理布局以降低寄生电感和电容,从而减少开关损耗。
    - 针对高频应用,可考虑采用额外的RC滤波网络来进一步减小干扰。
    - 确保散热设计合理,避免过热导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    WTM40N65AMP采用TO-247封装,通用性强,易于集成到现有系统中。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,包括技术咨询、应用指导和售后支持,确保客户能够充分发挥产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决办法: 适当增加外部散热片,或者选择更低热阻的封装。

    2. 问题: 栅极震荡问题。
    - 解决办法: 添加适当的栅极电阻,减小栅极电容的影响。

    总结和推荐


    综上所述,WTM40N65AMP是一款高性能的N沟道超级结MOSFET,具备高耐压、低导通电阻和快速恢复特性,适用于多种高压电力电子应用。其卓越的可靠性和稳定性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。强烈推荐此款产品用于需要高性能、高效率的电力电子系统中。

WTM40N65AMP参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 81mΩ@ 10V,15.4A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通用封装 TO-247-3L

WTM40N65AMP厂商介绍

WPMtek(武汉普迈特科技有限公司)是一家致力于研发、生产和销售工业自动化产品的高科技企业。公司主营产品包括:

1. 工业以太网交换机:用于实现工业现场设备之间的高速数据传输,广泛应用于智能制造、轨道交通、电力系统等领域。

2. 工业无线通信设备:包括无线网桥、无线AP等,用于实现工业现场设备的无线连接,适用于远程监控、数据采集等场景。

3. 工业串口通信设备:如串口服务器、串口转以太网模块等,用于实现串口设备与网络的连接,广泛应用于安防监控、工业控制等领域。

4. 工业接口转换器:如RS232/485转换器、USB转串口模块等,用于实现不同接口之间的数据转换,满足多样化的通信需求。

WPMtek的优势在于:

1. 技术创新:公司拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出具有竞争力的新产品。

2. 品质保证:产品经过严格的质量控制和测试,确保在各种恶劣环境下稳定运行。

3. 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用场景的需求。

4. 完善的售后服务:提供专业的技术支持和快速响应,解决客户在使用过程中遇到的问题。

WTM40N65AMP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WPMTEK/深圳维攀微电子 场效应管(MOSFET) WPMTEK/深圳维攀微电子 WTM40N65AMP WTM40N65AMP数据手册

WTM40N65AMP封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 12.43
90+ ¥ 12.1
150+ ¥ 11.88
1800+ ¥ 11.22
库存: 3000
起订量: 30 增量: 30
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最小起订量为:30
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